6
AT91RM9200
1768b–atarm–08/03
– abort 一代 在 情况 的 misalignment
• remap command
– 提供 remapping 的 一个 内部的 sram 在 放置 的 这 激励 nvm
外部 总线
接口
• integrates 三 外部 记忆 控制者:
– 静态的 记忆 控制
– sdram 控制
– burst flash 控制
• 额外的 逻辑 为 smartmedia
TM
和 compactflash
TM
支持
• 优化 外部 总线:
– 16- 或者 32-位 数据 总线
– 向上 至 26-位 地址 总线, 向上 至 64-mbytes addressable
– 向上 至 8 碎片 选择, 各自 保留 至 一个 的 这 第八 记忆 areas
– 优化 管脚 multiplexing 至 减少 latencies 在 外部 memories
• configurable 碎片 选择 分派:
– burst flash 控制 或者 静态的 记忆 控制 在 ncs0
– sdram 控制 或者 静态的 记忆 控制 在 ncs1
– 静态的 记忆 控制 在 ncs3, optional smartMedia
支持
– 静态的 记忆 控制 在 ncs4 - ncs6, optional compactflash 支持
– 静态的 记忆 控制 在 ncs7
静态的 记忆
控制
• 外部 记忆 mapping, 512-mbyte 地址 空间
• 向上 至 8 碎片 选择 线条
• 8- 或者 16-位 数据 总线
• remap 的 激励 记忆
• 多样的 进入 模式 supported
– 字节 写 或者 字节 选择 线条
– 二 不同的 读 protocols 为 各自 记忆 bank
• 多样的 设备 adaptability
– 一致的 和 lcd 单元
– 可编程序的 建制 时间 读/写
– 可编程序的 支撑 时间 读/写
• 多样的 wait 状态 管理
– 可编程序的 wait 状态 一代
– 外部 wait 要求
– 可编程序的 数据 float 时间
sdram 控制
• numerous 配置 supported
– 2k, 4k, 8k 行 地址 memory 部分
– sdram 和 二 或者 四 内部的 banks
– sdram 和 16- 或者 32-位 数据 path
• 程序编制 设备
– 文字, half-文字, 字节 进入
– 自动 页 破裂 当 记忆 boundary 有 被 reached
: 点此下载
