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atmega48/88/168
2545d–avr–07/04
图示 10.
数据 记忆 编排
数据 记忆 进入 时间
这个 部分 describes 这 一般 进入 德州仪器ming concepts 为 内部的 记忆 进入.
这 内部的 数据 sram 进入 是 执行 在 二 clk
CPU
循环 作 描述 在 图示
11.
图示 11.
在-碎片 数据 sram 进入 循环
可擦可编程只读存储器 数据 记忆
这 atmega48/88/168 contains 256/512/512 用tes 的 数据 可擦可编程只读存储器 记忆. 它 是
有组织的 作 一个 独立的 数据 空间, 在 这个 单独的 字节 能 是 读 和 写. 这
可擦可编程只读存储器 有 一个 忍耐力 的 在 least 100,000 写/擦掉 循环. 这 进入
在 这 可擦可编程只读存储器 和 这 cpu 是 described 在 这 下列的, specifying 这
可擦可编程只读存储器 地址 寄存器, 这 可擦可编程只读存储器数据 寄存器, 和 这 可擦可编程只读存储器 控制
寄存器.
“memory programming” 在 页 270 包含 一个 详细地 描述 在 可擦可编程只读存储器 pro-
gramming 在 spi 或者 并行的 程序编制 模式.
可擦可编程只读存储器 读/写 进入
这 可擦可编程只读存储器 进入 寄存器 是 accessible 在 这 i/o 空间.
这 写 进入 时间 为 这 可擦可编程只读存储器 是 给 在 表格 3. 一个 自-定时 函数, 如何-
总是, lets 这 用户 软件 发现 当 这 next 字节 能 是 写. 如果 这 用户 代号
包含 说明 那 写 这 eeprom, 一些 预防措施必须 是 带去. 在
heavily filtered 电源 供应, v
CC
是 likely 至 上升 或者 下降 慢速地 在 电源-向上/向下. 这个
导致 这 设备 为 一些 时期 的 时间 至 run 在 一个 电压 更小的 比 指定 作
32 寄存器
64 i/o 寄存器
内部的 sram
(512/1024/1024 x 8)
0x0000 - 0x001f
0x0020 - 0x005f
0x02ff/0x04ff/0x04f
F
0x0060 - 0x00ff
数据 记忆
160 ext i/o reg.
0x0100
clk
WR
RD
数据
数据
地址
地址 有效的
T1 T2 T3
计算 地址
读
写
CPU
记忆 进入 操作指南
next 操作指南
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