16
atmega16(l)
2466e–avr–10/02
数据 记忆 进入 时间
这个 部分 describes 这 一般 进入 定时 concepts 为 内部的 记忆 进入.
这 内部的 数据 sram 进入 是 执行 在 二 clk
CPU
循环 作 描述 在 图示
10.
图示 10.
在-碎片 数据 sram 进入 循环
可擦可编程只读存储器 数据 记忆
这 atmega16 包含 512 字节 的 数据 可擦可编程只读存储器 记忆. 它 是 有组织的 作 一个 sep-
arate 数据 空间, 在 这个 单独的 字节 能 是 读 和 写. 这 可擦可编程只读存储器 有 一个
忍耐力 的 在 least 100,000 写/擦掉 循环. 这 进入 在 这 可擦可编程只读存储器
和 这 cpu 是 描述 在 这 下列的, specifying 这 可擦可编程只读存储器 地址 寄存器,
这 可擦可编程只读存储器 数据 寄存器, 和 这 可擦可编程只读存储器 控制 寄存器.
为 一个 详细地 描述 的 spi 和 jtag 数据 downloading 至 这 可擦可编程只读存储器, 看
页 268 和 页 272, 各自.
可擦可编程只读存储器 读/写 进入
这 可擦可编程只读存储器 进入 寄存器 是 accessible 在 这 i/o 空间.
这 写 进入 时间 为 这 可擦可编程只读存储器 是 给 在 表格 1. 一个 自-定时 函数, 如何-
总是, lets 这 用户 软件 发现 当 这 next 字节 能 是 written. 如果 这 用户 代号
包含 说明 那 写 这 eeprom, 一些 预防措施 必须 是 带去. 在
heavily filtered 电源 供应, v
CC
是 likely 至 上升 或者 下降 慢速地 在 电源-向上/向下. 这个
导致 这 设备 为 一些 时期 的 时间 至 run 在 一个 电压 更小的 比 指定 作
最小 为 这 时钟 频率 使用. 看 “preventing 可擦可编程只读存储器 corruption” 在 页
20 为 详细信息 在 如何 至 避免 问题 在 这些 situations.
在 顺序 至 阻止 unintentional 可擦可编程只读存储器 写, 一个 明确的 写 程序 必须 是 fol-
lowed. 谈及 至 这 描述 的 这 可擦可编程只读存储器 控制 寄存器 为 详细信息 在 这个.
当 这 可擦可编程只读存储器 是 读, 这 cpu 是 halted 为 四 时钟 循环 在之前 这 next
操作指南 是 executed. 当 这 可擦可编程只读存储器 是 写, 这 cpu 是 halted 为 二 时钟
循环 在之前 这 next 操作指南 是 executed.
clk
WR
RD
数据
数据
地址
地址 有效的
T1 T2 T3
计算 地址
读
写
CPU
记忆 进入 操作指南
next 操作指南