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初步的 规格
16 mbit / 32 mbit / 64 mbit multi-目的 flash 加
sst39vf1601 / sst39vf3201 / sst39vf6401
sst39vf1602 / sst39vf3202 / sst39vf6402
©2003 硅 存储 技术, 公司 s71223-03-000 11/03
交流 特性
表格 16: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6v
标识 参数
sst39vfxx01/xx02-70 sst39vfxx01/xx02-90
单位最小值 最大值 最小值 最大值
T
RC
读 循环 时间 70 90 ns
T
CE
碎片 使能 进入 时间 70 90 ns
T
AA
地址 进入 时间 70 90 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 35 45 ns
T
CLZ
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZ
1
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
CHZ
1
ce# 高 至 高-z 输出 20 30 ns
T
OHZ
1
oe# 高 至 高-z 输出 20 30 ns
T
OH
1
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
T
RP
1
rst# 脉冲波 宽度 500 500 ns
T
RHR
1
rst# 高 在之前 读 50 50 ns
T
RY
1,2
2. 这个 参数 应用 至 sector-erase, 块-擦掉 和 程序 行动.
这个 参数 做 不 应用 至 碎片-擦掉 行动.
rst# 管脚 低 至 读 模式 20 20 µs
t16.3 1223
表格 17: P
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
BP
文字-程序 时间 10 µs
T
作
地址 建制 时间 0 ns
T
AH
地址 支撑 时间 30 ns
T
CS
we# 和 ce# 建制 时间 0 ns
T
CH
we# 和 ce# 支撑 时间 0 ns
T
OES
oe# 高 建制 时间 0 ns
T
OEH
oe# 高 支撑 时间 10 ns
T
CP
ce# 脉冲波 宽度 40 ns
T
WP
we# 脉冲波 宽度 40 ns
T
WPH
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
we# 脉冲波 宽度 高 30 ns
T
CPH
1
ce# 脉冲波 宽度 高 30 ns
T
DS
数据 建制 时间 30 ns
T
DH
1
数据 支撑 时间 0 ns
T
IDA
1
软件 id 进入 和 exit 时间 150 ns
T
SE
sector-擦掉 25 ms
T
是
块-擦掉 25 ms
T
SCE
碎片-擦掉 50 ms
t17.1 1223
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