10
初步的 规格
16 mbit / 32 mbit / 64 mbit multi-目的 flash 加
sst39vf1601 / sst39vf3201 / sst39vf6401
sst39vf1602 / sst39vf3202 / sst39vf6402
©2003 硅 存储 技术, 公司 s71223-03-000 11/03
表格 7: cfi q
UERY
I
DENTIFICATION
S
TRING
1
为
SST39VF160
X
/320
X
/640
X
地址 数据 数据
10H 0051H query 唯一的 ascii string “qry”
11H 0052H
12H 0059H
13H 0001H primary oem command 设置
14H 0007H
15H 0000H 地址 为 primary 扩展 表格
16H 0000H
17H 0000H alternate oem command 设置 (00h = 毫无 exists)
18H 0000H
19H 0000H 地址 为 alternate oem 扩展 表格 (00h = 毫无 exits)
1AH 0000H
t7.1 1223
1. 谈及 至 cfi 发行 100 为 更多 详细信息.
表格 8: S
YSTEM
I
NTERFACE
I
NFORMATION
为
SST39VF160
X
/320
X
/640
X
地址 数据 数据
1BH 0027H V
DD
最小值 (程序/擦掉)
DQ
7
-dq
4
: 伏特, dq
3
-dq
0
: 100 millivolts
1CH 0036H V
DD
最大值 (程序/擦掉)
DQ
7
-dq
4
: 伏特, dq
3
-dq
0
: 100 millivolts
1DH 0000H V
PP
最小值 (00h = 非 v
PP
管脚)
1EH 0000H V
PP
最大值 (00h = 非 v
PP
管脚)
1FH 0003H 典型 时间 输出 为 文字-程序 2
N
µs (2
3
= 8 µs)
20H 0000H 典型 时间 输出 为 最小值 大小 缓存区 程序 2
N
µs (00h = 不 supported)
21H 0004H 典型 时间 输出 为 单独的 sector/块-擦掉 2
N
ms (2
4
= 16 ms)
22H 0005H 典型 时间 输出 为 碎片-擦掉 2
N
ms (2
5
= 32 ms)
23H 0001H 最大 时间 输出 为 文字-程序 2
N
时间 典型 (2
1
x 2
3
= 16 µs)
24H 0000H 最大 时间 输出 为 缓存区 程序 2
N
时间 典型
25H 0001H 最大 时间 输出 为 单独的 sector/块-擦掉 2
N
时间 典型 (2
1
x 2
4
= 32 ms)
26H 0001H 最大 时间 输出 为 碎片-擦掉 2
N
时间 典型 (2
1
x 2
5
= 64 ms)
t8.3 1223
表格 9: D
EVICE
G
EOMETRY
I
NFORMATION
为
sst39vf1601/1602
地址 数据 数据
27H 0015H 设备 大小 = 2
N
字节 (15h = 21; 2
21
= 2 mbyte)
28H 0001H flash 设备 接口 描述; 0001h = x16-仅有的 异步的 接口
29H 0000H
2AH 0000H 最大 号码 的 字节 在 multi-字节 写 = 2
N
(00h = 不 supported)
2BH 0000H
2CH 0002H 号码 的 擦掉 sector/块 sizes supported 用 设备
2DH 00FFH sector 信息 (y + 1 = 号码 的 sectors; z x 256b = sector 大小)
2EH 0001H y = 511 + 1 = 512 sectors (01ff = 511
2FH 0010H
30H 0000H z = 16 x 256 字节 = 4 kbyte/sector (0010h = 16)
31H 001FH 块 信息 (y + 1 = 号码 的 blocks; z x 256b = 块 大小)
32H 0000H y = 31 + 1 = 32 blocks (001f = 31)
33H 0000H
34H 0001H z = 256 x 256 字节 = 64 kbyte/块 (0100h = 256)
t9.0 1223
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