smart 3 先进的 激励 块
E
20
初步的
3.3 块 locking
这 smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆
architecture 特性 二 硬件-lockable
参数 blocks.
3.3.1 wp# = v
IL
为 块 locking
这 lockable blocks 是 锁 when wp# = v
IL
;
任何 程序 或者 擦掉 运作 至 一个 锁 块
将 结果 在 一个 错误, 这个 将 是 反映 在 这
状态 寄存器. 为 顶 配置, 这 顶 二
参数 blocks (blocks#69 和 #70, blocks #37
和 #38 为 这 16-mbit, blocks#21 和 #22 为 这
8-mbit, blocks#13 和 #14 为 这 4-mbit) 是
lockable. 为 这 bottom 配置, 这 bottom
二 参数 blocks (blocks #0和 #1 为 4-/8-/
16-/32-mbit) 是 lockable. unlocked blocks 能 是
编写程序 或者 erased 正常情况下 (除非 v
PP
是
在下 v
PPLK
).
3.3.2 wp# = v
IH
为 块 unlocking
wp# = v
IH
unlocks 所有 lockable blocks.
这些 blocks 能 now 是 编写程序 或者 erased.
便条 那 rp# 做 不 override wp# locking 作 在
previous 激励 块 设备. wp# 控制 所有 块
locking 和 v
PP
提供 保护 相反
spurious 写. 表格 8 定义 这 写 保护
方法.
表格 8. 写 保护 真实 表格 为
先进的 激励 块 flash 记忆 家族
V
PP
WP# RP# 写 保护
提供
XXV
IL
所有 blocks 锁
V
IL
XV
IH
所有 blocks 锁
≥
V
PPLK
V
IL
V
IH
lockable blocks
锁
≥
V
PPLK
V
IH
V
IH
所有 blocks unlocked
3.4 V
PP
程序 和 擦掉
电压
intel’s smart 3 产品 提供 在-系统
程序编制 和 擦掉 在 2.7 v. 为 客户
需要 快 程序编制 在 它们的 制造
环境, smart 3 包含 一个 额外的 低-
费用 12 v 程序编制 特性.
这 12 v v
PP
模式 enhances 程序编制
效能 在 这 短的 时期 的 时间 典型地
建立 在 制造 处理; 不管怎样, 它 是
不 将 为 扩展 使用. 12 v 将 是 应用
至 v
PP
在 程序 和 擦掉 行动 为 一个
最大 的 1000循环 在 这 主要的 blocks 和
2500循环 在 这 参数 blocks. v
PP
将 是
连接 至 12 v 为 一个 总的 的 80 小时 最大.
stressing 这 设备 在之外 这些 限制 将 导致
永久的 损坏.
在 读 行动 或者 空闲 时间, v
PP
将 是
系 至 一个 5 v 供应. 为 程序 和 擦掉
行动, 一个 5 v 供应 是 不 permitted. 这 v
PP
必须 是 有提供的 和 也 2.7 v–3.6 v 或者 11.4 v–
12.6 v 在 程序 和 擦掉 行动.
3.4.1 V
PP
= v
IL
为 完全
保护
这 v
PP
程序编制 电压 能 是 使保持 低 为
完全 写 保护 的 所有 blocks 在 这 flash
设备. 当 v
PP
是 在下 v
PPLK
, 任何 程序 或者
擦掉 运作 将 结果 在 一个 错误, prompting 这
相应的 状态 寄存器 位 (sr.3) 至 是 设置.
3.5 电源 消耗量
intel® flash 设备 有 一个 tiered approach 至
电源 savings 那 能 significantly 减少 整体的
系统 电源 消耗量. 这 自动 电源
savings (aps) 特性 减少 电源 消耗量
当 这 设备 是 选择 但是 空闲. 如果 这 ce# 是
deasserted, 这 flash enters 它的 备用物品 模式,
在哪里 电流 消耗量 是 甚至 更小的. 这
结合体 的 这些 特性 能 降低
记忆 电源 消耗量, 和 因此, 整体的
系统 电源 消耗量.
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