E
smart 3 先进的 激励 块
23
初步的
4.0 电的 规格
4.1 绝对 最大 ratings*
扩展 运行 温度
在 读 ..........................
–40 °c 至 +85 °c
在 块 擦掉
和 程序.......................... –40 °c 至 +85 °c
温度 下面 偏差 ....... –40 °c 至 +85 °c
存储 温度................. –65 °c 至 +125 °c
电压 在 任何 管脚
(除了 v
CC
, v
CCQ
和 v
PP
)
和 遵守 至 地 ............. –0.5 v 至 3.7 v
(1)
V
PP
电压 (为 块
擦掉 和 程序)
和 遵守 至 地 ..... –0.5 v 至 +13.5 v
(1,2,4)
V
CC
和 v
CCQ
供应 电压
和 遵守 至 地 ........... –0.2 v 至 +3.7 v
(5)
输出 短的 电路 电流.....................100 毫安
(3)
注意: 这个 数据手册 包含 初步的 信息 在
新 产品 在 生产. 做 不 finalize 一个 设计 和
这个 信息. 修订 信息 将 是 发行 当
这 产品 是 有. 核实 和 your local intel 销售
办公室 那 你 有 这 最新的 数据手册 在之前 finalizing 一个
设计.
* 警告: stressing 这 设备 在之外 这 "绝对
最大 比率" 将 导致 永久的 损坏. 这些
是 压力 比率 仅有的. 运作 在之外 这 "运行
情况" 是 不 推荐 和 扩展 暴露
在之外 这 "运行 情况" 将 效应 设备
可靠性.
注释:
1. 最小 直流 电压 是
–0.5 v 在 输入/输出 管脚, 和 容许的 undershoot 至 –2.0 v 为 时期 < 20 ns. 最大 直流
电压 在 输入/输出 管脚 是 v
CC
+ 0.5 v, 和 容许的 越过 至 v
CC
+ 1.5 v 为 时期 < 20 ns.
2. 最大 直流 电压 在 v
PP
将 越过 至 +14.0 v 为 时期 < 20 ns.
3. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二.
非 更多 比 一个 输出 短接 在 一个 时间.
4. V
PP
程序 电压 是 正常情况下 2.7 v–3.6 v.
5. 最小 直流 电压 是 –0.5 v 在 v
CC
和 v
CCQ
, 和 容许的 undershoot 至 –2.0 v 为 时期 < 20 ns. 最大 直流
电压 在 v
CC
和 v
CCQ
管脚 是 v
CC
+ 0.5 v, 和 容许的 越过 至 v
CC
+ 1.5 v 为 时期 < 20 ns.
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