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计算 持续的 电流 为基础 在 最大 容许的 接合面
温度. 包装 限制 电流 是 75a.
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面
温度.
限制 用 t
Jmax
, 开始 t
J
= 25°c, l = 0.14mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 58a, v
GS
=10v. 部分 不 推荐 为 使用
在之上 这个 值.
I
SD
≤
58a, di/dt
≤
650a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
J
≤
175°c.
脉冲波 宽度
≤
400µs; 职责 循环
≤
2%.
S
D
G
C
oss
eff. (tr) 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.
C
oss
eff. (er) 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 活力 作
C
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.
当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料). 为 推荐
footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
θ
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 100 ––– ––– V
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.094 ––– v/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 8.0 10
m
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.0 V
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– 20 µA
––– ––– 250
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 200 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -200
R
G
门 输入 阻抗 ––– 1.5 –––
Ω
f = 1mhz, 打开 流
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
gfs 向前 跨导 120 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担 ––– 120 180 nC
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 31 –––
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 44 –––
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 24 ––– ns
t
r
上升 时间 ––– 80 –––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 55 –––
t
f
下降 时间 ––– 50 –––
C
iss
输入 电容 ––– 5150 ––– pF
C
oss
输出 电容 ––– 360 –––
C
rss
反转 转移 电容 ––– 190 –––
C
oss
eff. (er)
有效的 输出 电容 (活力 related)
––– 420 –––
C
oss
eff. (tr)
有效的 输出 电容 (时间 related)
––– 500 –––
二极管 特性
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 ––– –––
96
一个
(身体 二极管)
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 380 一个
(身体 二极管)
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 38 56 ns
T
J
= 25°c V
R
= 85v,
––– 51 77
T
J
= 125°c I
F
= 58a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 61 92 nC
T
J
= 25°c
di
/dt = 100a/µs
––– 110 170
T
J
= 125°c
I
RRM
反转 恢复 电流 ––– 2.8 ––– 一个
T
J
= 25°c
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
情况
V
DS
= 50v, i
D
= 58a
I
D
= 58a
V
GS
= 20v
V
GS
= -20v
场效应晶体管 标识
表明 这
V
DS
= 80v
情况
V
GS
= 10v
V
GS
= 0v
V
DS
= 50v
ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 80v
, 看 图.11
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 80v
, 看 图. 5
T
J
= 25°c, i
S
= 58a, v
GS
= 0v
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 58a
V
DS
= v
GS
, i
D
= 150µa
V
DS
= 100v, v
GS
= 0v
V
DS
= 100v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
I
D
= 58a
R
G
= 4.1
Ω
V
GS
= 10v
V
DD
= 65v
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