cy25bah-8f
rev.1.00, 8月.20.2004, 页 3 的 4
应用 例子
C
M
+
–
4
xe tube
Drive电路
控制 signal
GE
Ω
R
g(止)
68
Ω
R
g(在)
10
Ω
V
CM
V
GG
3 2 1
5 6 7 8
V
CM
I
CP
C
M
V
GE
330 v
130 一个
300
µ
F
2.85 v
推荐 运作
情况
最大 运作
情况
350 v
150 一个
400
µ
F
2.5 v
预防措施 在 用法
1. igbt 有 mos 结构 和 它的 门 是 insulated 用 薄的硅 oxide. 所以 请 handle carefully 至 保护 这
设备 从 静电的 承担.
2. 门 驱动 电压 在 在-时期 必须 是 应用 至 satisfy 这 比率 的 最大 脉冲波 集电级 电流. 和
顶峰 反转 门 电流 在 转变-止 必须 变为 较少 比 25 毫安. (在 一般, 当 r
g (止)
= 68
Ω
, 它 是
satisfied.)
3. 这 地面 的 这 驱动 信号 必须 是 连接 至 管脚 7 仅有的. 如果 这 发射级 终端 管脚 5 和 6 在 这个 一个 大
电流 流动 是 给 至 这 设备 作这 驱动 信号 发射级, 这 设备将 是 损坏 预定的 至 大 电流
自从 这 指定 门 电压 是 不 应用 至 这 igbt 在里面 这 设备.
4. 这 运作 生命 应当 是 endured 5,000 shots 下面 这 承担 电流 (i
Xe
≤
150 一个 : 全部 luminescence
情况) 的 主要的 电容 (c
M
= 400
µ
f) 这个 能 endure 重复的 释放 的 5,000 时间. repetition 时期
下面 全部 luminescence 情况 是 在 3 秒.
5. 总的 运作 小时 应用 至 这 门-发射级 电压 必须 是 在里面 5,000 小时.
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