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文档 号码 85694
rev. 1.2, 26-apr-04
VISHAY
bar64v-04
vishay 半导体
典型 特性
(t
amb
= 25
°
c 除非 否则 指定)
二极管 电容 f = 1 mhz, v
R
= 0 C
D
0.5 pF
f = 1 mhz, v
R
= 1 v C
D
0.37 0.5 pF
f = 1 mhz, v
R
= 20 v C
D
0.23 0.35 pF
向前 阻抗 f = 100 mhz, i
F
= 1 毫安 r
f
10 20
Ω
f = 100 mhz, i
F
= 10 毫安 r
f
2.0 3.8
Ω
f = 100 mhz, i
F
= 100 毫安 r
f
0.8 1.35
Ω
承担 运输车 生命 时间 I
F
= 10 毫安, i
R
= 6 毫安, i
R
= 3 毫安 t
rr
1.8
µ
s
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
图. 1 向前 阻抗 vs. 向前 电流
图. 2 二极管 电容 vs. 反转 电压
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1 1.0 10 100
18342
I
F
- 向前 电流 ( 毫安 )
r - 向前 阻抗 ( )
f
f = 100 MHz
Ω
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0 4 8 12 16 20 24 28
18334
V
R
- 反转 V oltage (v)
C - 二极管 电容 ( pF )
D
f=1MHz
图. 3 向前 电流 vs. 向前 电压
图. 4 反转 电压 vs. 反转 电流
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
I - 向前 电流 ( 毫安 )
V
F
- 向前 Voltage(v)
18326
F
0
50
100
150
200
250
300
0.01 0.1 1.0 10 100 1000
V - 反转 V oltage(v)
I
R
- 反转 电流 (
µ
一个)
18330
R
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