BAS70
半导体 组 2 的 4 draft b, 九月 99
最大 比率
参数 标识 值 单位
反转 电压 V
R
70 V
向前 电流 I
F
70 毫安
surge 向前 电流
1)
I
FSM
85 毫安
电源 消耗
2)
P
tot
250 mW
运行 温度 范围 T
运算
-55 至 +150 °C
存储 温度 范围 T
stg
-55 至 +150 °C
焊接 温度
3)
T
sol
+250 °C
接合面 温度 T
j
150 °C
热的 阻抗 接合面-情况 R
th(j-c)
100 k/w
电的 特性
在 t
一个
=25°c; 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
反转 电流 1
V
R
=70V
I
R1
-- 2µA
反转 电流 2
V
R
=56V
I
R2
-- 0,1µa
向前 电压 1
I
F1
=1mA
V
F1
0,30 0,38 0,44 V
向前 电压 2
I
F2
=10mA
V
F2
0,60 0,70 0,78 V
向前 电压 3
I
F3
=15mA
V
F3
0,80 0,85 1,00 V
差别的 向前 阻抗
4)
I
F2
=10ma, i
F3
=15mA
R
FD
24 30 32
Ω
交流 特性
总的 电容
V
R
=0v; f=1mhz
C
T
1,2 1,5 2 pF
注释.:
1.) t
≤
10ms, 职责 循环=10%
2.) 在 t
情况
= 125 °c. 为 t
情况
> 125 °c 减额 是 必需的.
3.) 在 5 秒. 最大. 这 一样 终端 将要 不 是 resoldered 直到 3 分钟 有 消逝.
∆
V
F
4.)
R
FD
=----------------
5x10
-3
一个
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