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资料编号:160186
 
资料名称:BAS116
 
文件大小: 52.75K
   
说明
 
介绍:
Low-leakage diode
 
 


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三月-10-2004
3
bas116...
反转 电流
I
R
=
ƒ
(
T
一个
)
V
R
= 参数
0 50 100 150
bas 116 EHB00053
nA
˚C
最大值
典型值
10
1
2
10
2
10
-1
10
-2
10
-3
10
Ι
R
一个
T
向前 电压
V
F
=
ƒ
(
T
一个
)
I
F
= 参数
0
0.5
1.0
1.5
0 50 100 150
bas 116 EHB00056
V
T
一个
V
F
˚C
150 毫安
50 毫安
10 毫安
1 毫安
0.1 毫安
Ι
F
=
向前 电流
I
F
=
ƒ
(
V
F
)
T
一个
= 25°c
0
0
ehb00054bas 116
Ι
0.5 1.0 V 1.5
50
100
毫安
150
F
F
V
maxtyp
向前 电流
I
F
=
ƒ
(
T
S
)
BAS116
0 15 30 45 60 75 90 105 120
°C
150
T
S
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
毫安
300
I
F
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