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资料编号:160266
 
资料名称:BAS40T
 
文件大小: 160.28K
   
说明
 
介绍:
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BAS40T的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds30265 rev. 5 - 2 1的 2 bas40t/-04t/-05t/-06t
bas40t/-04t/-05t/-06t
表面 挂载 肖特基 屏障 二极管
机械的 数据
一个
M
J
L
B
C
H
K
G
顶 视图
C
E
B
N
特性
典型的 标识 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
40
V
rms 反转 电压
V
R(rms)
28 V
向前 持续的 电流 (便条 1)
I
FM
200 毫安
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流 @ t = 1.0s
I
FSM
600
毫安
电源 消耗 (便条 1)
P
d
150 mW
热的 阻抗 接合面 至 包围的 (便条 1)
R
JA
833
c/w
运行 温度 范围
T
j
-55 至 +125
C
存储 温度 范围
T
STG
-65 至 +150
C
最大 比率
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
注释: 1. 设备 挂载 在 fr-4 pc 板 和 推荐 垫子 布局, 这个 能 是 建立 在 我们的 网站 在
http://www.二极管.com/数据手册/ap02001.pdf.
2. 短的 持续时间 测试 脉冲波 使用 至 降低 自-加热 效应.
典型的 标识 最小值 最大值 单位 测试 情况
反转 损坏 电压 (便条 2)
V
(br)r
40
V
I
R
= 10
一个
向前 电压 (便条 2)
V
F
380
1000
mV
mV
I
F
= 1.0ma, t
p
< 300
s
I
F
= 40ma, t
p
< 300
s
泄漏 电流 (便条 2)
I
R
200 nA
V
R
= 30v
总的 电容
C
T
5.0 pF
V
R
= 0, f = 1.0mhz
反转 恢复 时间
t
rr
5.0 ns
I
F
= i
R
= 10ma,
I
rr
= 0.1 x i
R
, r
L
= 100
电的 特性
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
低 向前 电压 漏出
快 切换
过激-小 表面 挂载 包装
pn 接合面 守卫 环绕 为 瞬时 和 静电释放
保护
bas40t 标记: 43 bas40-04t 标记: 44
bas40-05t 标记: 45
bas40-06t 标记: 46
情况: sot-523, 模塑的 塑料
情况 材料 -ULFlammability比率 94v-0
潮气 敏锐的: 水平的 1 每j-标准-020a
terminals: solderable 每 mil-标准-202, 方法
208
极性: 看 图解 在下
标记: 看 图解 在下 (&放大; 页 2)
重量: 0.002 grams (approx.)
订货 信息, 看 页 2
TCUDORPWEN
sot-523
Dim 最小值 最大值 典型值
一个
0.15 0.30 0.22
B
0.75 0.85 0.80
C
1.45 1.75 1.60
D
0.50
G
0.90 1.10 1.00
H
1.50 1.70 1.60
J
0.00 0.10 0.05
K
0.60 0.80 0.75
L
0.10 0.30 0.22
M
0.10 0.20 0.12
N
0.45 0.65 0.50
0
8
所有 维度 在 mm
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