BAS70-02V-GS18_集成电路资料查询网

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文档 号码 85652
rev. 1.3, 29-六月-05
bas70-02v
vishay 半导体
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
包装 维度在 mm (英寸)
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
反转  损坏 电压 I
R
= 10
µ
一个 (搏动) V
(br)r
70 V
泄漏 电流 V
R
= 50 v, t
p
< 300
µ
sI
R
20 100 nA
向前 电压 t
p
< 300
µ
s, i
F
= 1.0 毫安 V
F
410 mV
t
p
< 300
µ
s, i
F
= 15 毫安 V
F
1000 mV
二极管 电容 V
R
= 0 v, f = 1 mhz C
tot
1.5 2 pF
反转 恢复 时间 I
F
= 10 毫安, i
R
= 10 毫安,
I
rr
= 1 毫安, r
L
= 100
Ω
t
rr
5ns
16864
ISO 方法 E
1.6 (0.062)
1.2 (0.047)
0.3 (0.012)
0.15 (0.006)
0.6 (0.023)
0.8 (0.031)
0.15 一个
一个
0.39 (0.015)
1.35 (0.053)
0.22 (0.008)
0.16 (0.006)
0.35 (0.014)
挂载 垫子 布局

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www.vishay.com 2 文档号码 85652 rev. 1.3, 29-六月-05 bas70-02v vishay 半导体电的特性 T amb = 25 °c, 除非否则指定包装维度在 mm (英寸) 参数测试情况标识最小值 Typ. 最大值单位反转损坏电压 I R = 10 µ 一个 (搏动) V (br)r 70 V 泄漏电流 V R = 50 v, t p < 300 µ sI R 20 100 nA 向前电压 t p < 300 µ s, i F = 1.0 毫安 V F 410 mV t p < 300 µ s, i F = 15 毫安 V F 1000 mV 二极管电容 V R = 0 v, f = 1 mhz C tot 1.5 2 pF 反转恢复时间 I F = 10 毫安, i R = 10 毫安, I rr = 1 毫安, r L = 100 Ω t rr 5ns 16864 ISO 方法 E 1.6 (0.062) 1.2 (0.047) 0.3 (0.012) 0.15 (0.006) 0.6 (0.023) 0.8 (0.031) 0.15 一个一个 0.39 (0.015) 1.35 (0.053) 0.22 (0.008) 0.16 (0.006) 0.35 (0.014) 挂载垫子布局

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