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©2004 仙童 半导体 公司 bas16ht1g, rev. 一个
BAS16HT1G
典型 特性
图示 1. 反转 电压 vs 反转 电流
bv - 1.0 至 100
µ
一个
图示 2. 反转 电流 vs 反转 电压
ir - 10 至 100v
图示 3. 向前 电压 vs 向前 电流
vf - 1.0 至 100
µ
一个
图示 4. 向前 电压 vs 向前 电流
vf - 0.1 至 10ma
图示 5. 向前 电压 vs 向前 电流
vf - 10 - 800ma
图示 6. 总的 电容
1 2 3 5 10 20 30 50 100
11 0
120
130
140
150
反转 current, i
R
[uA]
R
ta= 25
°
C
反转 电压, v
R
[v]
ta= 25
°
C
一般 rule: the 反转 电流的一个 diode 将 大概
翻倍 为 每 ten (10) 程度 c 增加 在 温度
10 20 30 50 70 100
0
50
100
150
200
250
300
反转 电压, v
R
[v]
反转 电流, i
R
[nA]
225
1 2 3 5 10 20 30 50 100
250
300
350
400
450
向前 电流, i
F
[uA]
向前 电压, v
F
[mV]
F
F
485
ta= 25
°
C
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
450
500
550
600
650
700
向前 电流, i
F
[mA]
向前 电压, v
F
[mV]
F
725
Ta=25
°
C
10 20 30 50 100 200 300 500
0.6
0.8
1
1.2
1.4
向前 电流, i
F
[mA]
向前 电压, v
F
[V]
F
1.5
Ta = 2 5
°
C
02468101214
1
1.1
1.2
1.3
反转 voltage [v]
总的 电容, c
T
[pF]
Ta = 2 5
°
C
15

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©2004 仙童半导体公司 bas16ht1g, rev. 一个 BAS16HT1G 典型特性图示 1. 反转电压 vs 反转电流 bv - 1.0 至 100 µ 一个图示 2. 反转电流 vs 反转电压 ir - 10 至 100v 图示 3. 向前电压 vs 向前电流 vf - 1.0 至 100 µ 一个图示 4. 向前电压 vs 向前电流 vf - 0.1 至 10ma 图示 5. 向前电压 vs 向前电流 vf - 10 - 800ma 图示 6. 总的电容 1 2 3 5 10 20 30 50 100 11 0 120 130 140 150 反转 current, i R [uA] R ta= 25 ° C 反转电压, v R [v] ta= 25 ° C 一般 rule: the 反转电流的一个 diode 将大概翻倍为每 ten (10) 程度 c 增加在温度 10 20 30 50 70 100 0 50 100 150 200 250 300 反转电压, v R [v] 反转电流, i R [nA] 225 1 2 3 5 10 20 30 50 100 250 300 350 400 450 向前电流, i F [uA] 向前电压, v F [mV] F F 485 ta= 25 ° C 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 450 500 550 600 650 700 向前电流, i F [mA] 向前电压, v F [mV] F 725 Ta=25 ° C 10 20 30 50 100 200 300 500 0.6 0.8 1 1.2 1.4 向前电流, i F [mA] 向前电压, v F [V] F 1.5 Ta = 2 5 ° C 02468101214 1 1.1 1.2 1.3 反转 voltage [v] 总的电容, c T [pF] Ta = 2 5 ° C 15

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