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©2004 仙童 半导体 公司 bas16ht1g, rev. 一个
BAS16HT1G
典型 特性
(持续)
图示 7. 反转 恢复 时间 vs 反转 电流
trr - ir 10ma vs 60ma
图示 8. 平均 调整的 电流 (i
f(av)
) vs
包围的 温度 (t
一个
)
图示 9. 电源 减额 曲线
irr (reverse recov ery 电流) = 1.0 毫安 - rlo运算 = 100 ohms
10 20 30 40 50 60
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
反转 电流 [ma]
反转 恢复 时间, t
rr
[ns]
ta= 25
°
C
050100150
0
100
200
300
400
500
i    - 向前 curre
nt 稳步的
S
TA
TE - m一个
o
D
R
一个
I
o - 平均 调整的 curre
nt - 毫安
050100150
0
100
200
300
400
I
f(av)
- 平均 调整的 curr
ent - m
一个
电流 [ma]
包围的 温度, t
一个
[  c]
o
0 50 100 150 200
0
100
200
300
400
500
sod-323 pkg
sot-23 pkg
做-35 pkg
电源 消耗, p
D
[mW]
平均 温度, i
o
[
o
C]

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©2004 仙童半导体公司 bas16ht1g, rev. 一个 BAS16HT1G 典型特性 (持续) 图示 7. 反转恢复时间 vs 反转电流 trr - ir 10ma vs 60ma 图示 8. 平均调整的电流 (i f(av) ) vs 包围的温度 (t 一个 ) 图示 9. 电源减额曲线 irr (reverse recov ery 电流) = 1.0 毫安 - rlo运算 = 100 ohms 10 20 30 40 50 60 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 反转电流 [ma] 反转恢复时间, t rr [ns] ta= 25 ° C 050100150 0 100 200 300 400 500 i - 向前 curre nt 稳步的 S TA TE - m一个 o D R 一个 I o - 平均调整的 curre nt - 毫安 050100150 0 100 200 300 400 I f(av) - 平均调整的 curr ent - m 一个电流 [ma] 包围的温度, t 一个 [ c] o 0 50 100 150 200 0 100 200 300 400 500 sod-323 pkg sot-23 pkg 做-35 pkg 电源消耗, p D [mW] 平均温度, i o [ o C]

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