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资料编号:160443
 
资料名称:BAS21DW5T1
 
文件大小: 52.88K
   
说明
 
介绍:
High Voltage Switching Diode
 
 


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bas19lt1, bas20lt1, bas21lt1, bas21dw5t1
http://onsemi.com
2
热的 特性 (sot−23)
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr−5 板
(便条 2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗
junction−to−ambient (sot−23)
R
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗 alumina 基质
(便条 3)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 junction−to−ambient R
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
热的 特性 (sc−88a)
典型的 标识 最大值 单位
电源 消耗 (便条 4) P
D
385 mW
热的 阻抗 −
Junction−to−Ambient
减额 在之上 25
°
C
R
JA
328
3.0
°
c/w
mw/
°
C
最大 接合面 温度 T
Jmax
150
°
C
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
2. fr−5 = 1.0
0.75
0.062 在.
3. alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
4. 挂载 在 fr−5 板 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在.
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
反转 电压 泄漏 电流
(v
R
= 100 vdc) BAS19
(v
R
= 150 vdc) BAS20
(v
R
= 200 vdc) BAS21
(v
R
= 100 vdc, t
J
= 150
°
c) BAS19
(v
R
= 150 vdc, t
J
= 150
°
c) BAS20
(v
R
= 200 vdc, t
J
= 150
°
c) BAS21
I
R
0.1
0.1
0.1
100
100
100
模数转换器
反转 损坏 电压
(i
BR
= 100
模数转换器) BAS19
(i
BR
= 100
模数转换器) BAS20
(i
BR
= 100
模数转换器) BAS21
V
(br)
120
200
250
Vdc
向前 电压
(i
F
= 100 madc)
(i
F
= 200 madc)
V
F
1.0
1.25
Vdc
二极管 电容 (v
R
= 0, f = 1.0 mhz) C
D
5.0 pF
反转 恢复 时间 (i
F
= i
R
= 30 madc, i
r(rec)
= 3.0 madc, r
L
= 100) t
rr
50 ns
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