1996 Sep 26 3
不 推荐 为 新 设计
飞利浦 半导体 产品 规格
控制 avalanche rectifiers bas11; bas12
电的 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 specified.
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 环氧的-glass 打印-电路 板, 1.5 mm 厚; 厚度 的 铜
≥
40
µ
m, 看 图.8.
为 更多 信息 请 谈及 至 这
“general 部分 的 有关联的 handbook”
.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
向前 电压 I
F
= 300 毫安; t
j
=T
jmax
; 看 图.5
−−
1.0 V
I
F
= 300 毫安; 看 图.5
−−
1.1 V
V
(br)r
反转 avalanche
损坏 电压
I
R
= 0.1 毫安
BAS11 330
−−
V
BAS12 440
−−
V
I
R
反转 电流 V
R
=V
RRMmax
; 看 图.6
−−
250 nA
V
R
=V
RRMmax
; t
j
= 125
°
c; 看 图.6
−−
10
µ
一个
t
rr
反转 恢复 时间 当 切换 从 i
F
= 0.5 一个 至
I
R
= 1 一个; 量过的 在 i
R
= 0.25 一个;
看 图.9
−−
1
µ
s
C
d
二极管 电容 V
R
= 0 v; f = 1 mhz; 看 图.7
−
20
−
pF
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-tp
热的 阻抗 从 接合面 至 系-要点 含铅的 长度 = 10 mm 180 k/w
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 340 k/w