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资料编号:160508
资料名称:
BAS70-06S
文件大小: 46.93K
说明
:
介绍
:
Silicon Schottky Diode Array (General-purpose diode for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping)
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bas 70-06s
半导体 组
sep-07-19982
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识
UnitValues
最小值
最大值.典型值.
直流 特性
损坏 电压
I
(br)
= 10 µa
V
(br)
70
v--
I
R
-
-
-
-
0.1
10
反转 电流
V
R
= 50 v
V
R
= 70 v
µA
向前 电压
I
F
= 1 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 15 毫安
V
F
300
600
750
375
705
880
410
750
1000
mV
交流 特性
二极管 电容
V
R
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
T
-
1.6
2
pF
承担 运输车 生命 时间
I
F
= 25 毫安
τ
-
-
100
ps
差别的 向前 阻抗
I
F
= 10 毫安,
f
= 100 mhz
r
f
-
30
-
Ω
半导体 组
2
1998-11-01
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