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资料编号：160517
 
资料名称：BAS125-04
 
文件大小： 104.65K
   
说明：
 
介绍:
Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组 3
bas 125 …
电的 特性 每 二极管
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
UnitValues
参数 标识
最小值 典型值 最大值
µ
areverse 电流
V
R
= 20 V
V
R
= 25 V
I
R
–
–
–
–
1
10
mvforward 电压
I
F
= 1 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 35 毫安
V
F
–
–
–
385
530
800
410
–
900
Ω
差别的 向前 阻抗
I
F
= 5 毫安,
f
= 10 kHz
R
F
–15–
pfdiode 电容
V
R
= 0,
f
= 1 MHz
C
T
– – 1.1
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