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资料编号:160519
资料名称:
BAS125-06
文件大小: 104.65K
说明
:
介绍
:
Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications)
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
3
bas 125 …
电的 特性 每 二极管
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
UnitValues
参数
标识
最小值
典型值
最大值
µ
areverse 电流
V
R
= 20
V
V
R
= 25
V
I
R
–
–
–
–
1
10
mvforward 电压
I
F
= 1
毫安
I
F
= 10
毫安
I
F
= 35
毫安
V
F
–
–
–
385
530
800
410
–
900
Ω
差别的 向前 阻抗
I
F
= 5
毫安,
f
= 10
kHz
R
F
–15–
pfdiode 电容
V
R
= 0,
f
= 1
MHz
C
T
–
–
1.1
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