BAS170WS-GS18_集成电路资料查询网

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文档 号码 85653
rev. 1.2, 18-十一月-03
VISHAY
BAS170WS
vishay 半导体
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
1)
脉冲波 测试; t
p
≤
300
µ
s
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
反转 损坏 电压 I
R
= 10
µ
一个 (搏动) V
(br)r
70 V
泄漏 电流 V
R
=50 v I
R
0.1
µ
一个
V
R
= 70 v I
R
10
µ
一个
向前 电压 I
F
= 200 毫安 V
F
375 410 V
i<tief<f = 10 毫安 V
F
705 750 V
向前 电压
1)
I
F
= 15 毫安 V
F
880 1000 mV
电容 V
R
= 0 v, f = 1 mhz C
tot
1.5 2 pF
承担 运输车 存在期 I
F
= 25 毫安
τ
100 ps
差别的 向前 阻抗 I
E
= 5 毫安, f = 10 khz R
F
34
Ω

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www.vishay.com 2 文档号码 85653 rev. 1.2, 18-十一月-03 VISHAY BAS170WS vishay 半导体电的特性 T amb = 25 °c, 除非否则指定 1) 脉冲波测试; t p ≤ 300 µ s 参数测试情况标识最小值 Ty p. 最大值单位反转损坏电压 I R = 10 µ 一个 (搏动) V (br)r 70 V 泄漏电流 V R =50 v I R 0.1 µ 一个 V R = 70 v I R 10 µ 一个向前电压 I F = 200 毫安 V F 375 410 V i<tief<f = 10 毫安 V F 705 750 V 向前电压 1) I F = 15 毫安 V F 880 1000 mV 电容 V R = 0 v, f = 1 mhz C tot 1.5 2 pF 承担运输车存在期 I F = 25 毫安 τ 100 ps 差别的向前阻抗 I E = 5 毫安, f = 10 khz R F 34 Ω

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