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资料编号:160598
 
资料名称:BAS40-04W
 
文件大小: 52.5K
   
说明
 
介绍:
Schottky barrier double diodes
 
 


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bas 40w
半导体 组 2
电的 特性
T
一个
= 25
°
c, 除非 否则 指定.
参数 标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
损坏 电压
I
(br)
=10
µ
一个
V
(br)
40
V
向前 电压
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=15mA
V
F
250
350
600
310
450
720
380
500
1000
mV
反转 电流
V
R
=30V
V
R
=40V
I
R
1
10
µ
一个
二极管 电容
V
R
=0v,
f
= 1 MHz
C
T
–35
pF
承担 运输车 生命 时间
I
F
=25mA
τ
–10–ps
差别的 向前 阻抗
I
F
=10ma,
f
=10kHz
R
F
–10–
序列 电感
L
S
–2–nH
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