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文档 号码 85651
rev. 1.2, 26-apr-04
VISHAY
bas40-02v
vishay 半导体
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
包装 维度在 mm (英寸)
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
反转 损坏 电压 I
R
= 10
µ
一个 (搏动) V
(br)
40 V
泄漏 电流 脉冲波 测试 v
R
= 30 v, t
p
< 300
µ
sI
R
20 100 nA
向前 电压 脉冲波 测试 t
p
< 300
µ
s,
I
F
= 1.0 毫安
V
F
380 mV
脉冲波 测试 t
p
< 300
µ
s,
I
F
= 40 毫安,
V
F
1000 mV
二极管 电容 V
R
= 0 v, f = 1 mhz C
tot
4.0 5 pF
反转 恢复 时间 I
F
= 10 毫安, i
R
= 10 毫安,
I
rr
= 1 毫安, r
L
= 100
Ω
t
rr
5ns
16864
ISO 方法 E
1.6 (0.062)
1.2 (0.047)
0.3 (0.012)
0.15 (0.006)
0.6 (0.023)
0.8 (0.031)
0.15 一个
一个