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文档 号码 85500
rev. 1.6, 03-三月-04
VISHAY
bas281 / 282 / 283
vishay 半导体
热的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
典型 特性
(t
amb
= 25
°
c 除非 否则 指定)
参数 测试 情况 标识 Value 单位
接合面 包围的 在 pc 板
50 mm x 50 mm x 1.6 mm
R
thJA
320 k/w
接合面 温度 T
j
125 °C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 + 150 °C
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 0.1 毫安 V
F
330 mV
I
F
= 1 毫安 V
F
410 mV
I
F
= 15 毫安 V
F
1V
反转 电流 V
R
= v
Rmax
I
R
200 nA
二极管 电容 V
R
= 1 v, f = 1 mhz C
D
1.6 pF
图. 1 最大值 反转 电源 dissipation vs. 接合面 温度
0
2
4
6
8
10
12
14
25 50 75 100 125 150
T
j
- 接合面 温度 (
°
c)
15794
V
R
=60V
P - 反转 电源 消耗 ( mW )
R
R = 540 k/w
thJA
P
R
V
R
- 限制 @ 100 %
P
R
V
R
- 限制 @ 80 %
图. 2 反转 电流 vs. 接合面 温度
0.1
100
1000
25 50 75 100 125 150
1
10
15795
V
R
=V
RRM
ı
I - 反转 电流 (
µ
一个)
R
T
j
- 接合面 温度 (
°
c)
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