BAT120S_集成电路资料查询网

1998 Oct 30 4
飞利浦 半导体 产品 规格
肖特基 屏障 翻倍 二极管 bat120 序列
graphical 数据
(1) T
amb
= 125
°
c.
(2) T
amb
= 100
°
c.
(3) T
amb
=75
°
c.
(4) T
amb
=25
°
c.
图.5 向前 电流 作 一个 函数 的 向前
电压; 典型 值.
handbook, halfpage
1.0
V
F
(v)
I
F
(毫安)
0
0.2 0.4 0.6 0.8
10
4
10
3
10
2
10
1
MBK572
(1)
(2)
(3)
(4)
(1) T
amb
= 125
°
c.
(2) T
amb
= 100
°
c.
(3) T
amb
=75
°
c.
(4) T
amb
=25
°
c.
图.6 反转 电流 作 一个 函数 的 反转
电压; 典型 值.
handbook, halfpage
30
V
R
(v)
I
R
(毫安)
0
10 20
10
4
10
3
10
2
10
1
MBK573
(1)
(2)
(3)
(4)
图.7 二极管 电容 作 一个 函数 的 反转
电压; 典型 值.
f = 1 mhz; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
30
V
R
(v)
C
d
(pf)
01020
10
3
10
2
10
MBK571

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

1998 Oct 30 4 飞利浦半导体产品规格肖特基屏障翻倍二极管 bat120 序列 graphical 数据 (1) T amb = 125 ° c. (2) T amb = 100 ° c. (3) T amb =75 ° c. (4) T amb =25 ° c. 图.5 向前电流作一个函数的向前电压; 典型值. handbook, halfpage 1.0 V F (v) I F (毫安) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 10 4 10 3 10 2 10 1 MBK572 (1) (2) (3) (4) (1) T amb = 125 ° c. (2) T amb = 100 ° c. (3) T amb =75 ° c. (4) T amb =25 ° c. 图.6 反转电流作一个函数的反转电压; 典型值. handbook, halfpage 30 V R (v) I R (毫安) 0 10 20 10 4 10 3 10 2 10 1 MBK573 (1) (2) (3) (4) 图.7 二极管电容作一个函数的反转电压; 典型值. f = 1 mhz; t amb =25 ° c. handbook, halfpage 30 V R (v) C d (pf) 01020 10 3 10 2 10 MBK571

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com