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资料编号:161080
资料名称:
BAV99T
文件大小: 487.7K
说明
:
介绍
:
Silicon Switching Diode
: 点此下载
1
2
3
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5
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7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
三月-10-2004
3
bav99...
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
直流 特性
损坏 电压
I
(br)
= 100 µa
V
(br)
85
-
-
V
反转 电流
V
R
= 70 v
V
R
= 25 v,
T
一个
= 150 °c
V
R
= 70 v,
T
一个
= 150 °c
I
R
-
-
-
-
-
-
0.15
30
50
µA
向前 电压
I
F
= 1 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 50 毫安
I
F
= 100 毫安
I
F
= 150 毫安
V
F
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1000
1200
1250
mV
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
交流 特性
二极管 电容
V
R
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
T
-
-
1.5
pF
反转 恢复 时间
I
F
= 10 毫安,
I
R
= 10 毫安, 量过的 在
I
R
= 1ma,
R
L
= 100
Ω
t
rr
-
-
4
ns
测试 电路 为 反转 恢复 时间
EHN00019
Ι
F
d.u.t.
Oscillograph
脉冲波 发生器:
t
p
= 100ns,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns,
R
i
= 50
Ω
oscillograph:
R
= 50,
t
r
= 0.35ns
C
≤
1pF
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