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资料编号:161127
资料名称:
BAV99L
文件大小: 76.36K
说明
:
介绍
:
Monolithic Dual Switching Diode
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BAV99LT1
http://onsemi.com
2
止 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出) (各自 二极管)
典型的
标识
最小值
最大值
单位
反转 损坏 电压,
(i
(br)
= 100
一个)
V
(br)
70
−
Vdc
反转 电压 泄漏 电流,
(v
R
= 70 vdc)
(v
R
= 25 vdc, t
J
= 150
°
c)
(v
R
= 70 vdc, t
J
= 150
°
c)
I
R
−
−
−
2.5
30
50
模数转换器
二极管 电容,
(v
R
= 0, f = 1.0 mhz)
C
D
−
1.5
pF
向前 电压,
(i
F
= 1.0 madc)
(i
F
= 10 madc)
(i
F
= 50 madc)
(i
F
= 150 madc)
V
F
−
−
−
−
715
855
1000
1250
mVdc
反转 恢复 时间,
(i
F
= i
R
= 10 madc, i
r(rec)
= 1.0 madc) r
L
= 100
t
rr
−
6.0
ns
向前 恢复 电压,
(i
F
= 10 毫安, t
r
= 20 ns)
V
FR
−
1.75
V
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