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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
PNP 硅
外延的 晶体管
这个PNp silicon epitaxial transistor is designed for usein 一个udio 一个mplifier
产品.这 设备 是 housed 在 这 sot-223 包装 这个 是 设计 为
中等 电源 表面 挂载 产品.
•
高 电流: 1.5 放大器
•
npn complement 是 bcp56
•
这 sot-223 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 软熔焊接. 这 formed leads
absorb 热的 压力 在 焊接, eliminating 这 possibility 的 损坏 至
这 消逝
•
有 在 12 mm 录音带 和 卷轴
使用 bcp53t1 至 顺序 这 7 inch/1000 单位 卷轴.
使用 bcp53t3 至 顺序 这 13 inch/4000 单位 卷轴.
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
集电级-发射级 电压 V
CEO
–80 Vdc
集电级-根基 电压 V
CBO
–100 Vdc
发射级-根基 电压 V
EBO
–5.0 Vdc
集电级 电流 I
C
1.5 模数转换器
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–65 至 150
°
C
设备 标记
AH
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的阻抗 — 接合面-至-包围的 (表面 挂载) R
θ
JA
83.3
°
c/w
含铅的 temperature 为 焊接, 0.0625
″
从 情况
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
秒
1. 设备挂载 在 一个 glass 环氧的 打印 电路 板 1.575 在. x 1.575 在. x 0.059 in.; 挂载 垫子 为 这 集电级 含铅的 最小值 0.93 sq. in.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 bcp53t1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1996
BCP53T1
中等 电源
pnp 硅
高 电流
晶体管
表面 挂载
motorola preferred 设备
情况 318e-04, 样式 1
至-261aa
1
2
3
4
集电级 2,4
根基
1
发射级 3
rev 1
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