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bcp 54m ... bcp 56m
2 Au -11-1998
半导体 组
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 UnitValues
典型值 最大值.最小值.
直流 特性
V
(br)ceo
45
60
80
-
-
-
-
-
-
V
bcp 54m
bcp 55m
bcp 56m
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
bcp 54m
bcp 55m
bcp 56m
V
(br)cbo
45
60
100
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100 µa,
I
B
= 0
-
-
-
-
-
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
-5
V
(br)ebo
nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0
100
I
CBO
--
µA
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
20- -
I
CBO
-
直流 电流 增益  1)
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 2 v
-
h
FE
-25
-250
h
FE
直流 电流 增益  1)
I
C
= 150 毫安,
V
CE
= 2 v
40 -
--
h
FE
25dc 电流 增益  1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 v
-
v0.5--
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
根基-发射级 电压  1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 v
V
是(在)
-- 1
交流 特性
MHz
转变 频率
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 100 mhz
- 100
f
T
-
1)  脉冲波 测试: t
≤
300
µ
s, d = 2%
半导体 组 2 1998-11-01

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bcp 54m ... bcp 56m 2 Au -11-1998 半导体组电的特性在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定. 参数标识 UnitValues 典型值最大值.最小值. 直流特性 V (br)ceo 45 60 80 - - - - - - V bcp 54m bcp 55m bcp 56m 集电级-发射级损坏电压 I C = 10 毫安, I B = 0 bcp 54m bcp 55m bcp 56m V (br)cbo 45 60 100 集电级-根基损坏电压 I C = 100 µa, I B = 0 - - - - - - - 发射级-根基损坏电压 I E = 10 µa, I C = 0 -5 V (br)ebo nA 集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 100 I CBO -- µA 集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 , T 一个 = 150 °c 20- - I CBO - 直流电流增益 1) I C = 5 毫安, V CE = 2 v - h FE -25 -250 h FE 直流电流增益 1) I C = 150 毫安, V CE = 2 v 40 - -- h FE 25dc 电流增益 1) I C = 500 毫安, V CE = 2 v - v0.5-- V CEsat 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 500 毫安, I B = 50 毫安根基-发射级电压 1) I C = 500 毫安, V CE = 2 v V 是(在) -- 1 交流特性 MHz 转变频率 I C = 50 毫安, V CE = 10 v, f = 100 mhz - 100 f T - 1) 脉冲波测试: t ≤ 300 µ s, d = 2% 半导体组 2 1998-11-01

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