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资料编号:164417
 
资料名称:BCV29
 
文件大小: 16.49K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
 
 


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bcv29, bcv49
2 jul-12-2001
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
BCV29
BCV49
V
(br)ceo
30
60
-
-
-
-
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100 µa,
I
B
= 0
BCV29
BCV49
V
(br)cbo
40
80
-
-
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
10 - -
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0
V
CB
= 60 v,
I
E
= 0
BCV29
BCV49
I
CBO
-
-
-
-
100
100
nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
V
CB
= 60 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
BCV29
BCV49
I
CBO
-
-
-
-
10
10
µA
发射级 截止 电流
V
EB
= 4 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 100 nA
直流 电流 增益 1)
I
C
= 100 µa,
V
CE
= 1 v
BCV29
BCV49
h
FE
4000
2000
-
-
-
-
-
直流 电流 增益 1)
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v
BCV29
BCV49
h
FE
10000
4000
-
-
-
-
直流 电流 增益 1)
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 5 v
BCV29
BCV49
h
FE
20000
10000
-
-
-
-
直流 电流 增益 1)
I
C
= 0.5 一个,
V
CE
= 5 v
BCV29
BCV49
h
FE
4000
2000
-
-
-
-
1) 脉冲波 测试: t
300
µ
s, d = 2%
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