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资料编号:164580
 
资料名称:BCW60C
 
文件大小: 228.33K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon AF Transistors
 
 


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bcw60, bcx70
4 jan-29-2002
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 单位
最大值.典型值.最小值.
直流 特性
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.25 毫安
I
C
= 50 毫安,
I
B
= 1.25 毫安
0.12
0.2
V
0.25
0.55
-
-
V
CEsat
根基-发射级 饱和 电压 1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.25 毫安
I
C
= 50 毫安,
I
B
= 1.25 毫安
V
BEsat
0.7
0.83
0.85
1.05
-
-
-
0.75
-
V
是(在)
-
0.55
-
0.52
0.65
0.78
根基-发射级 电压 1)
I
C
= 10 µa,
V
CE
= 5 v
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 1 v
交流 特性
-
250 -
f
T
转变 频率
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 100 mhz
MHz
- 3
C
cb
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
- pF
发射级-根基 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
-
C
eb
-8
h
FE
-grp.
一个 / g
b / h
c / j / ff
d / k / fn
h
11e
短的-电路 输入 阻抗
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 1 khz
-
-
-
-
2.7
3.6
4.5
7.5
-
-
-
-
k
打开-电路 反转 电压 transf.比率
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 1 khz
|
h
FE
-grp.
一个 / g
b / h
c / j/ff
d / k / fn
h
12e
-
-
-
-
1.5
2
2
3
-
-
-
-
10
-4
1) 脉冲波 测试: t
=
300
µ
s, d = 2%
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