continental 设备 印度 限制
一个 是/iso 9002 和 iecq certified 生产者
npn 外延的 硅 电源 晶体管 BD410
至-126
塑料 包装
绝对 最大 比率
描述 标识 值 单位
集电级 -根基 电压
V
CBO
500 V
集电级 -发射级 电压
V
CEO
325 V
发射级 根基 电压
V
EBO
5.0 V
持续的 集电级 电流
I
C
1.0 一个
顶峰 集电级 电流
I
CM
1.5
总的 电源 消耗 @ ta=25 ºc
P
tot
1.25 W
@ tc=25 ºc
20
存储 温度 范围
T
j,
T
stg
- 55 至 +125 ºC
含铅的 温度 1.6mm 从 情况 为
T
L
260 ºC
10 秒.
电的 特性 (ta=25ºc 除非 否则 指定 )
描述 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截 止 电流
I
CES
V
CE
=300v,
IB
=0
100
µ
一个
集电级 -根基 电压
V
CBO
I
C
=500
µ
一个, i
E
=0 500 V
集电级 发射级 电压
V
ceo *
I
C
=10ma, i
B
=0
325 V
发射级 根基 电压
V
EBO
I
E
=50
µ
一个, i
C
=0 5 V
直流 电流 增益
h
FE
I
C
=5ma, v
CE
=10V
25
I
C
=50ma, v
CE
=10V
30 240
I
C
=100ma, v
CE
=10V
20
根基 发射级 饱和 电压
V
是 (sat)
I
C
=100ma, i
B
=10mA
1.5 V
集电级 发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
I
C
=100ma, i
B
=10mA
0.5 V
动态 特性
描述 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输出 电容
C
obo
I
E
=0, v
CB
=10v, f=1mhz
5.5
pF
输入 电容
C
ibo
I
E
=0, v
EB
=0.5v, f=1mhz
90 pF
*pulsed 测试 tp=300
µ
s,职责 循环<
2%
是/iso 9002
Lic#Qsc/l- 000019.2
B
C
E
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