©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bd534/536/538
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw =300
µ
s, 职责 循环 =1.5% 搏动
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 : bd534
: bd536
: bd538
- 45
- 60
- 80
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压 : bd534
: bd536
: bd538
- 45
- 60
- 80
V
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 8 一个
I
B
根基 电流 - 1 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 50 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 : bd534
: bd536
: bd538
V
CB
= - 45v, i
E
= 0
V
CB
= - 60v, i
E
= 0
V
CB
= - 80v, i
E
= 0
- 100
- 100
- 100
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
CES
集电级 截-止 电流 : bd534
: bd536
: bd538
V
CE
= - 45v, v
是
= 0
V
CE
= - 60v, v
是
= 0
V
CE
= - 80v, v
是
= 0
- 100
- 100
- 100
µ
一个
µ
一个
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 5v, i
C
= 0 - 1 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益 : 所有 设备
: bd534/536
: bd538
: bd534/536
: bd538
V
CE
= -2 v, i
C
= - 500ma
V
CE
= - 5v, i
C
= - 10ma
V
CE
= - 2v, i
C
= - 2a
40
20
15
25
15
h
FE
h
FE
Groups
J : 所有 设备
K : 所有 设备
V
CE
= - 2v, i
C
= - 2a
V
CE
= - 2v, i
C
= - 3a
V
CE
= -2v, i
C
= - 2a
V
CE
= - 2v, i
C
= - 3a
30
15
40
20
75
100
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= - 2a, i
B
= - 0.2a
I
C
= - 6a, i
B
= - 0.6a - 0.8
- 0.8 V
V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 V
CE
= - 2v, i
C
= - 2a - 1.5 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= - 1v, i
C
= - 500ma 3 12 MHz
bd534/536/538
中等 电源 直线的 和 切换
产品
• 低 饱和 电压
• complement 至 bd533, bd535 和 bd537 各自
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
至-220
: 点此下载
