uc3844b, uc3845b, uc2844b, uc2845b
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12
图示 24. 电流 波形 尖刺 抑制
+
−
5.0v ref
+
−
S
R
Q
7(11)
6(10)
5(8)
3(5)
R
S
Q1
V
CC
V
在
C
R
这 增加 的 这 rc 过滤 将 eliminate
instability 造成 用 这 leading 边缘 尖刺
在 这 电流 波形.
7(12)
竞赛/获得
T
图示 25. 场效应晶体管 parasitic 振动 图示 26. 双极 晶体管 驱动
+
−
S
R
5.0v ref
Q
7(11)
6(10)
5(8)
3(5)
R
S
Q1
V
CC
V
在
序列 门 电阻 r
g
将 damp 任何 高 频率
parasitic 振动 造成 用 这 场效应晶体管 输入
电容 和 任何 序列 线路 电感 在 这
gate−source 电路.
6(10)
5(8)
3(5)
R
S
Q1
V
在
C1
根基 承担
除去
这 totem 柱子 输出 能 furnish 负的 根基 电流
为 增强 晶体管 turn−off, 和 这 增加 的
电容 c
1
.
I
B
+
−
0
7(12)
R
g
竞赛/获得
T
+
−