©2000 仙童 半导体 国际的
bdw23/一个/b/c
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 根基-发射级 在 电压 图示 4. safe 运行 范围
图示 5. 电源 减额
0.1 1 10
100
1000
10000
V
CE
= 3v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
V
CE
= 3v
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
0.1 1 10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
I
C
= 250 i
B
V
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
1 10 100 1000
0.1
1
10
100
BDW23A
10
µ
s
I
C
(最大值). 搏动
BDW23C
BDW23B
BDW23
100
µ
s
1ms
10ms
直流
I
C
(最大值).
持续的
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
C
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度
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