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©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bdx34/一个/b/c
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
I
C
集电级 电流 (直流) - 10 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) - 15 一个
I
B
根基 电流 - 0.25 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 70 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
bdx34/一个/b/c
电源 直线的 和 切换 产品
• 高 增益 一般 目的
• 电源 darlington tr
• complement 至 bdx33/33a/33b/33c 各自
1.根基    2.集电级    3.发射级
1
至-220

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©2000 仙童半导体国际的 rev. 一个, 二月 2000 bdx34/一个/b/c pnp 外延的硅晶体管绝对最大比率 T C =25 ° c 除非否则指出标识参数值单位 V CBO 集电级-根基电压 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c - 45 - 60 - 80 - 100 V V V V V CEO 集电级-发射级电压 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c - 45 - 60 - 80 - 100 V V V V I C 集电级电流 (直流) - 10 一个 I CP *collector 电流 (脉冲波) - 15 一个 I B 根基电流 - 0.25 一个 P C 集电级消耗 (t C =25 ° c) 70 W T J 接合面温度 150 ° C T STG 存储温度 - 65 ~ 150 ° C bdx34/一个/b/c 电源直线的和切换产品 • 高增益一般目的 • 电源 darlington tr • complement 至 bdx33/33a/33b/33c 各自 1.根基 2.集电级 3.发射级 1 至-220

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