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©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bdx34/一个/b/c
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=300
µ
s, 职责 循环 =1.5% 搏动
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
I
C
= -100ma, i
B
= 0
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
V
CER
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
I
C
= -1 00ma, i
B
= 0
R
是
= 100
Ω
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
V
CEV
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
I
C
= - 100ma, i
B
= 0
V
是
= - 1.5v
- 45
- 60
- 80
- 100
V
V
V
V
I
CBO
集电级 截-止 电流
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
V
CB
= - 45v, i
E
= 0
V
CB
= - 60v, i
E
= 0
V
CB
= - 80v, i
E
= 0
V
CB
= - 100v, i
E
= 0
- 0.2
- 0.2
- 0.2
- 0.2
毫安
毫安
毫安
毫安
I
CEO
集电级 截-止 电流
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
V
CE
= - 22v, i
B
= 0
V
CE
= - 30v, i
B
= 0
V
CE
= - 40v, i
B
=0
V
CE
= - 50v, i
B
= 0
- 0.5
- 0.5
- 0.5
- 0.5
毫安
毫安
毫安
毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 5v, i
C
= 0 - 5 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益
: bdx34/34a
:BDX34B/34C
V
CE
= - 3v, i
C
= - 4a
V
CE
= - 3v, i
C
= - 3a
750
750
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压
: bdx34/34a
: bdx34b/34c
I
C
= - 4a, i
B
= - 8ma
I
C
= - 3a, i
B
= - 6ma
- 2.5
- 2.5
V
V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压
: bdx34/34a
: bdx34b/34c
V
CE
= - 3v, i
C
= - 4a
V
CE
= - 3v, i
C
= - 3a
- 2.5
- 2.5
V
V
V
F
* 并行的 二极管 向前 电压 I
F
= - 8a - 4 V

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©2000 仙童半导体国际的 rev. 一个, 二月 2000 bdx34/一个/b/c 电的特性 T C =25 ° C 除非否则指出 * 脉冲波测试: pw=300 µ s, 职责循环 =1.5% 搏动标识参数测试情况最小值典型值最大值单位 V CEO (sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c I C = -100ma, i B = 0 - 45 - 60 - 80 - 100 V V V V V CER (sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c I C = -1 00ma, i B = 0 R 是 = 100 Ω - 45 - 60 - 80 - 100 V V V V V CEV (sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c I C = - 100ma, i B = 0 V 是 = - 1.5v - 45 - 60 - 80 - 100 V V V V I CBO 集电级截-止电流 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c V CB = - 45v, i E = 0 V CB = - 60v, i E = 0 V CB = - 80v, i E = 0 V CB = - 100v, i E = 0 - 0.2 - 0.2 - 0.2 - 0.2 毫安毫安毫安毫安 I CEO 集电级截-止电流 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c V CE = - 22v, i B = 0 V CE = - 30v, i B = 0 V CE = - 40v, i B =0 V CE = - 50v, i B = 0 - 0.5 - 0.5 - 0.5 - 0.5 毫安毫安毫安毫安 I EBO 发射级截-止电流 V EB = - 5v, i C = 0 - 5 毫安 h FE * 直流电流增益 : bdx34/34a :BDX34B/34C V CE = - 3v, i C = - 4a V CE = - 3v, i C = - 3a 750 750 V CE (sat) * 集电级-发射级饱和电压 : bdx34/34a : bdx34b/34c I C = - 4a, i B = - 8ma I C = - 3a, i B = - 6ma - 2.5 - 2.5 V V V 是 (在) * 根基-发射级在电压 : bdx34/34a : bdx34b/34c V CE = - 3v, i C = - 4a V CE = - 3v, i C = - 3a - 2.5 - 2.5 V V V F * 并行的二极管向前电压 I F = - 8a - 4 V

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