©2000 仙童 半导体 国际的
bdx34/一个/b/c
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 根基-发射级 在 电压 图示 4. 输出 电容
图示 5. safe 运行 范围 图示 6. 电源 减额
-0.1 -1 -10
100
1k
10k
100k
V
CE
= -3v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
-0.1 -1 -10
-0.1
-1
-10
I
C
= 250i
B
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
-0 -1 -2 -3 -4
-0.0
-2.5
-5.0
-7.5
-10.0
V
CE
= -3v
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
-1 -10 -100
10
100
1000
f = 1mhz
I
E
= 0
C
ob
[pf], capactiance
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
-1 -10 -100 -1000
-0.1
-1
-10
-100
BDX34C
BDX34B
BDX34A
BDX34
直流
10 美国
100 美国1 ms
5 ms
I
C
最大值 (搏动)
I
C
最大值 (持续的)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
D
[w], 电源 消耗
tc [
o
c], 情况 温度
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