DS2761
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保护 寄存器
这 保护 寄存器 组成 的 flags 那 indicate 保护 电路 stat美国 和 switches 那 给
conditional 控制 在 这 charging 和 discharging paths. 位 ov, uv, coc, 和 doc 是 设置 当
相应的 保护 情况 occur 和 仍然是 设置 直到 cleared 用 这 host 系统. 这 default
值 的 这 ce 和 de 位 的 这 保护 寄存器 是 贮存 在 lockable 可擦可编程只读存储器 在 这
相应的 位 在 地址 30h.一个 recall 数据 command 为 可擦可编程只读存储器 块 1 recalls 这 default 值
在 ce 和 de. 这 format 的 这 保护 寄存器是 显示 在 图示 9. 这 函数 的 各自 位 是
描述 在 detail 在 这 下列的 paragraphs.
图示 9.
保护 寄存器 format
地址 00
位 7
位 6
位 5 位 4 位 3 位 2 位 1
位 0
OV
UV
COC
DOC
CC
直流
CE
DE
OV—
超（电）压 标记. 当 设置 至 1, 这个 位 indicates这 电池 包装 有 experienced 一个 超（电）压
情况. 这个 位 必须 是 重置 用 这 host 系统.
UV
—undervoltage 标记. 当 设置 至 1, 这个 位indicates 这 电池 包装 有 experienced 一个
欠压 情况. 这个 位 必须是 重置 用 这 host 系统.
COC
—charge overcurrent 标记. 当 设置 至 1, 这个 b它 indicates 这 电池 包装 有 experienced 一个
承担-方向 overcurrent 情况. 这个位 必须 是 重置 用 这 host 系统.
DOC
—discharge overcurrent 标记. 当 设置 至 1, 这个位 indicates 这 电池 包装 有 experienced 一个
释放-方向 overcurrent情况. 这个 位 必须 是 重置 用 这 host 系统.
CC
—
CC
管脚 mirror. 这个 读-仅有的 位 mirrors 这 状态 的 这 CC
输出 管脚.
直流
— 直流 管脚 mirror. 这个 读-仅有的 位 mirrors 这 状态 的 这 直流
输出 管脚.
CE
—charge 使能. writing 一个 0 至 这个 位 使不能运转 charging (
CC
输出 高, 外部 承担 场效应晶体管 止)
regardless 的 cell 或者 包装 情况. writing 一个 1 至 这个 位 使能 charging, 主题 至 override 用 这
存在 的 任何 保护 情况. 这 ds2761 自动matically sets 这个 位 至 1 当 它 transitions
从 睡眠 模式 至 起作用的 模式.
DE
—discharge 使能. writing 一个 0 至 这个 位 使不能运转 discharging (
直流 输出 高, 外部 释放
场效应晶体管 止) regardless 的 cell 或者 包装 情况. writing 一个 1 至 这个 位 使能 discharging, 主题 至
override 用 这 存在 的 任何 保护 情况.这 ds2761 automatically sets 这个 位 至 1 当 它
transitions 从 睡眠 模式 至 起作用的 模式.
状态 寄存器
这 default 值 为 这 状态 寄存器 位 是贮存 在 lockable 可擦可编程只读存储器 在 这 相应的 位 的
地址 31h. 一个 recall 数据 command 为 可擦可编程只读存储器 块 1 recalls 这 default 值 在 这 状态
寄存器 位. 这 format 的 这 状态 寄存器 是 shown 在 图示 10. 这 functi在 的 各自 位 是 描述
在 detail 在 这 下列的 paragraphs.
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