MAX1714
高-速 步伐-向下 控制
为 notebook 计算机
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为 最优的 电路 可靠性, choose 一个 电容 那
有 较少 比 10°c 温度 上升 在 这 顶峰 波纹
电流.
电源 场效应晶体管 选择
大多数 的 这 下列的 场效应晶体管 指导原则 focus 在 这
challenge 的 获得 高 加载-电流 能力 (>5a)
当 使用 高-电压 (>20v) 交流 adapters. 低-cur-
rent 产品 通常地 需要 较少 注意.
为 最大 效率, choose 一个 高-一侧 场效应晶体管
(q1) 那 有 传导 losses equal 至 这 切换
losses 在 这 最佳的 电池 电压 (15v). 审查 至
确保 那 这 传导 losses 在
最小
输入
电压 don’t 超过 这 包装 热的 限制 或者
violate 这 整体的 热的 budget. 审查 至 确保 那
传导 losses 加 切换 losses 在 这
maxi-
mum
输入 电压 don’t 超过 这 包装 比率 或者
violate 这 整体的 热的 budget.
choose 一个 低-一侧 场效应晶体管 (q2) 那 有 这 最低
可能 r
ds(在)
, comes 在 一个 moderate 至 小 包装-
age (i.e., 所以-8), 和 是 合理地 priced. 确保 那
这 max1714 dl 门 驱动器 能 驱动 q2; 在 其它
words, 审查 那 这 门 isn’t 牵引的 向上 用 这 高-
一侧 转变 转变 在, 预定的 至 parasitic 流-至-门 capac-
itance, 造成 交叉-传导 问题. 切换
losses aren’t 一个 公布 为 这 低-一侧 场效应晶体管, 自从 它’s
一个 零-电压 切换 设备 当 使用 在 这 buck
topology.
场效应晶体管 电源 消耗
worst-情况 传导 losses 出现 在 这 职责 因素
extremes. 为 这 高-一侧 场效应晶体管, 这 worst-情况
电源 消耗 预定的 至 阻抗 occurs 在 最小
电池 电压:
pd(q1 resistive) = (v
输出
/ v
在(最小值)
)
·
I
加载
2
·
R
ds(在)
一般地, 一个 小 高-一侧 场效应晶体管 是 desired 至
减少 切换 losses 在 高 输入 电压. 不管怎样,
这 r
ds(在)
必需的 至 停留 在里面 包装 电源-dissi-
pation 限制 常常 限制 如何 小 这 场效应晶体管 能 是.
又一次, 这 最佳的 occurs 当 这 切换 (交流)
losses equal 这 传导 (r
ds(在)
) losses. 高-一侧
切换 losses don’t 通常地 变为 一个 公布 直到 这
输入 是 更好 比 大概 15v.
切换 losses 在 这 高-一侧 场效应晶体管 能 变为
一个 insidious 热温 问题 当 最大 交流 adapter
电压 是 应用, 预定的 至 这 squared 期 在 这
CV
2
f 切换 丧失 等式. 如果 这 高-一侧 场效应晶体管
你’ve 选择 为 足够的 r
ds(在)
在 低 电池 volt-
ages 变为 extraordinarily hot 当 subjected 至
V
在(最大值)
, 你 必须 reconsider your 选择 的 场效应晶体管.
calculating 这 电源 消耗 在 q1 预定的 至 切换
losses 是 difficult, 自从 它 必须 准许 为 difficult-至-quanti-
fy factors 那 影响 这 转变-在 和 转变-止 时间.
这些 factors 包含 这 内部的 门 阻抗, 门
承担, 门槛 电压, 源 电感, 和 pc
板 布局 特性. 这 下列的 切换 丧失
计算 提供 仅有的 一个 非常 粗糙的 估计 和 是 非
substitute 为 breadboard evaluation, preferably 包含
一个 sanity 审查 使用 一个 thermocouple 挂载 在 q1.
在哪里 c
RSS
是 这 反转 转移 电容 的 q1
和 i
门
是 这 顶峰 门-驱动 源/下沉 电流 (1a
典型).
为 这 低-一侧 场效应晶体管, q2, 这 worst-情况 电源 dis-
sipation 总是 occurs 在 最大 电池 电压:
pd(q2) = (1 - v
输出
/ v
在(最大值)
)
·
I
加载
2
·
R
ds(在)
这 绝对 worst 情况 为 场效应晶体管 电源 消耗
occurs 下面 重的 overloads 那 是 更好 比
I
加载(最大值)
但是 是 不 quite 高 足够的 至 超过 这
电流 限制 和 导致 这 故障 获得 至 trip. 至 保护
相反 这个 possibility, 你 必须 “overdesign” 这 电路
至 tolerate i
加载
= i
限制(高)
+ [(lir / 2)
·
I
加载(最大值)
],
在哪里 i
限制(高)
是 这 最大 valley 电流 允许
用 这 电流-限制 电路, 包含 门槛 容忍
和 在-阻抗 变化. 这个 意思 那 这
mosfets 必须 是 非常 好 heatsinked. 如果 短的-电路
保护 没有 超载 保护 是 足够的, 一个 也不-
mal i
加载
值 能 是 使用 为 calculating 组件
压力.
choose 一个 肖特基 二极管 d1 having 一个 向前 电压
低 足够的 至 阻止 这 q2 场效应晶体管 身体 二极管 从
turning 在 在 这 dead 时间. 作 一个 一般 rule, 一个
二极管 having 一个 直流 电流 比率 equal 至 1/3 的 这 加载
电流 是 sufficient. 这个 二极管 是 optional, 和 如果 efficien-
cy isn’t 核心的 它 能 是 移除.
应用 issues
落后 效能
这 输出 电压 调整 范围 为 持续的-conduc-
tion 运作 是 restricted 用 这 nonadjustable 500ns
(最大值) 最小 止-时间 一个-shot. 为 最好的 落后 每-
formance, 使用 这 slowest (200khz) 在-时间 设置.
当 working 和 低 输入 电压, 这 职责-因素
限制 必须 是 计算 使用 worst-情况 值 为 在-
和 止-时间. 制造 容忍 和 内部的
传播 延迟 introduce 一个 错误 至 这 ton k-fac-
tor. 这个 错误 是 更好 在 高等级的 发生率 (表格 5).
也, 保持 在 mind 那 瞬时 回馈 效能
的 buck regulators 运作 关闭 至 落后 是 poor,
pd(q1 切换)
CV fI
I
RSS 在(最大值)
2
加载
门
=
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