在哪里 一个 单独的 milliohm 的 excess 查出 阻抗
导致 一个 measurable 效率 penalty.
• lx 和 pgnd 连接 至 q2 为 电流 限制的
必须 是 制造 使用 kelvin sense 连接 至
保证 这 电流-限制 精度. 和 所以-8
mosfets, 这个 是 最好的 完毕 用 routing 电源 至 这
mosfets 从 外部 使用 这 顶 铜 layer,
当 tying 在 pgnd 和 lx
inside
(underneath) 这
所以-8 包装.
• 当 trade-offs 在 查出 长度 必须 是 制造, 它’s
preferable 至 准许 这 inductor charging path 至 是
制造 变长 比 这 释放 path. 为 例子,
它’s 更好的 至 准许 一些 extra 距离 在 这
输入 电容 和 这 高-一侧 场效应晶体管 比 至
准许 距离 在 这 inductor 和 这 低-
一侧 场效应晶体管 或者 在 这 inductor 和 这 输出-
放 过滤 电容.
• 确保 那 这 输出 连接 至 c
输出
是 短的 和
直接. 不管怎样, 在 一些 具体情况 它 将 是 desirable 至
deliberately introduce 一些 查出 长度 在 这
输出 inductor node 和 这 输出 过滤 电容 (看
这
所有-陶瓷的-电容 应用
部分).
• route 高-速 切换 nodes (bst, lx, dh, 和
dl) away 从 敏感的 相似物 areas (ref, fb).
• 制造 所有 管脚-strap 控制 输入 连接 (
SKIP
,
ilim, 等.) 至 agnd 或者 v
CC
相当 比 pgnd 或者 v
DD
.
布局 程序
1) 放置 这 电源 组件 第一, 和 地面 termi-
nals 调整 (q2 源, cin-, cout-, d1 anode). 如果
可能, 制造 所有 这些 连接 在 这 顶 layer
和 宽, 铜-filled areas.
2) 挂载 这 控制 ic 调整 至 场效应晶体管 q2,
preferably 在 这 后面的 一侧 opposite q2 在 顺序 至
保持 lx, pgnd, 和 这 dl 门-驱动 线条 短的 和
宽. 这 dl 门 查出 必须 是 短的 和 宽,
测量 10 至 20 squares (50 至 100 毫英寸 宽 如果 这
场效应晶体管 是 1 inch 从 这 控制 ic).
3) 组 这 门-驱动 组件 (bst 二极管 和
电容, v
DD
绕过 电容) 一起 near 这
控制 ic.
4) 制造 这 直流-直流 控制 地面 连接 作
显示 在 图示 11. 这个 图解 能 是 viewed 作
having 三 独立的 地面 平面: 输出 地面,
在哪里 所有 这 高-电源 组件 go; 这 pgnd
平面, 在哪里 这 pgnd 管脚 和 v
DD
绕过 capaci-
tor go; 和 一个 相似物 agnd 平面, 在哪里 敏感的
相似物 组件 go. 这 相似物 地面 平面 和
pgnd 平面 必须 满足 仅有的 在 一个 单独的 要点 直接地
beneath 这 ic. 为 这 max1714b, 这个 要点 应当
是 这 地 管脚. 这些 二 平面 是 然后 连接-
ed 至 这 高-电源 输出 地面 和 一个 短的 con-
nection 从 v
DD
cap/pgnd 至 这 源 的 这
低-一侧 场效应晶体管, q2 (这 middle 的 这 星 地面).
这个 要点 必须 也 是 非常 关闭 至 这 输出
电容 地面 终端.
5) 连接 这 输出 电源 平面 (v
核心
和 系统
地面 平面) 直接地 至 这 输出 过滤 电容
积极的 和 负的 terminals 和 多样的 vias.
放置 这 全部 直流-直流 转换器 电路 作 关闭 至
这 cpu 作 是 实际的.
MAX1714
高-速 步伐-向下 控制
为 notebook 计算机
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DL
AGND
输出
PGND
(地)
(地)
( ) 是 为 这 max1714b 仅有的.
DH
FB
V
BATT
V
输出
R1
R2
MAX1714
图示 9. 设置 v
输出
和 一个 电阻-分隔物
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