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包装 特性
在 推荐 运行 情况 (t
一个
= -55 至 +125
°
c) 除非 否则 指定.
*all typicals 在 t
一个
= 25
°
c.
注释:
1. 最大 脉冲波 宽度 = 10
µ
s, 最大 职责 循环 = 0.2%. 这个 值 是 将至 准许 为 组件 容忍 为 设计 和 i
O
顶峰 最小
= 2.0 一个. 看 产品 部分 为 额外的 详细信息 在 限制的 i
OH
顶峰.
2. 最大 脉冲波 宽度 = 50
µ
s, 最大 职责 循环 = 0.5%.
3. 在 这个 测试 v
OH
是 量过的 和 一个 直流 加载 current. 当 驱动 电容的 负载 v
OH
将 approach v
CC
作 i
OH
approaches 零 放大器.
4. 最大 脉冲波 宽度 = 1 ms, 最大 职责 循环 = 20%.
5. 这个 是 一个 momentary 承受测试, 不 一个 运行 情况.
6. 设备 考虑 一个 二-终端 设备: 管脚 在 输入 一侧 短接 一起 和 管脚 在 输出 一侧 短接 一起.
7. 这 区别 在 t
PHL
和 t
PLH
在 任何 二 hcpl-5120 部分 下面 这 一样 测试 情况.
8. 管脚 1 和 4 需要 至 是 连接 至 led 一般.
9. 一般 模式 瞬时 免除 在 the 高 状态 是 这最大 tolerable dv
CM
/dt 的 这 一般 模式 脉冲波, v
CM
, 至 使确信 那 这 输出 将
仍然是 在 这 高 状态 (i.e., v
O
> 15.0 v).
10. 一般 模式 瞬时 免除 在一个 低 状态 是 这 最大 tolerable dv
CM
/dt 的 这 一般 模式 脉冲波, v
CM
, 至 使确信 那 这 输出 将
仍然是 在 一个 低 状态 (i.e., v
O
< 1.0 v).
11. 这个 加载 情况 approximates这 门 加载 的 一个 1200 v/75a igbt.
12. 脉冲波 宽度 扭曲量 (pwd) 是 定义 作 |t
PHL
-t
PLH
| 为 任何 给 设备.
13. 标准 部分 receive 100% 测试 在 25
°
c (subgroups 1 和 9). smd和 类 h 部分 receive 100%测试 在 25, 125, 和 -55
°
c (subgroups 1 和 9,
2 和 10, 3 和 11, 各自).
14. 参数 是 测试 作 部分 的 设备最初的 描绘 和 之后 设计和 处理 改变. 参数 是 guaranteed 至 限制 指定 为
所有 lots 不 specifically 测试.
参数 标识 测试 情况
组 一个
Subgroups
(13)
限制
单位 图 便条
最小值 典型值.* 最大值
输入-输出
泄漏 电流
I
i-o
V
i-o
= 1500vdc
rh = 45%,
t = 5 秒.,
T
一个
= 25
°
C
1 1.0
µ
一个
5, 6
阻抗
(输入-输出)
R
i-o
V
i-o
= 500 v
直流
10
10
Ω
6
电容
(输入-输出)
C
i-o
f = 1 mhz 2.5 pF 6
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