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资料编号:169243
 
资料名称:BF1005SR
 
文件大小: 252.41K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
 
 


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二月-18-2004
3
bf1005s...
电的 特性
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
交流 特性
(核实 用 随机的 抽样)
向前 跨导
V
DS
= 5 v,
V
G2S
= 4.5 v
g
fs
26 30 -
mS
gate1 输入 电容
V
DS
= 5 v,
V
G2S
= 4 v,
f
= 1 mhz
C
g1ss
- 2.4 2.7 pF
输出 电容
V
DS
= 5 v,
V
G2S
= 4 v,
f
= 100 mhz
C
dss
- 1.3 -
电源 增益 (自 片面的)
V
DS
= 5 v,
V
G2S
= 4 v,
f
= 800 mhz
G
p
20 22 - dB
噪音 图示
V
DS
= 5 v,
V
G2S
= 4 v,
f
= 800 mhz
F
- 1.6 2.1 dB
增益 控制 范围
V
DS
= 5 v,
V
G2S
= 4 v ... 0 v,
f
= 800 mhz
G
p
40 50 -
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