2001 Apr 25 2
飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 双 门 mos-场效应晶体管 BF1204
特性
•
二 低 噪音 增益 控制 放大器 在 一个 单独的
包装
•
更好的 交叉-调制 效能 在 agc
•
高 向前 转移 admittance
•
高 向前 转移 admittance 至 输入 电容
比率.
产品
•
增益 控制 低 噪音 放大器 为 vhf 和 uhf
产品 和 3 至 9 V 供应 电压, 此类 作 数字的
和 相似物 television tuners 和 专业的
communications 设备.
描述
这 bf1204 是 一个 结合体 的 二 equal 双 门
mos-场效应晶体管 放大器 和 shared 源 和 门 2 leads.
这 源 和 基质 是 interconnected. 内部的 偏差
电路 使能 直流 stabilization 和 一个 非常 好的
交叉-调制 效能 在 agc. 整体的
二极管 在 这 门 和 源 保护 相反
过度的 输入 电压 surges. 这 晶体管 有 一个
sot363 微观的-小型的 塑料 包装.
固定 - sot363
管脚 描述
1 门 1 (一个)
2 门 2
3 门 1 (b)
4 流 (b)
5 源
6 流 (一个)
handbook, halfpage
MBL252
放大
一个
放大
b
d (一个) s d (b)
g1 (一个)
顶 视图
g2 g1 (b)
132
4
56
图.1 simplified 外形 和 标识.
标记 代号: l3-
快 涉及 数据
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 源 含铅的.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
每 mos-场效应晶体管; 除非 否则 specified
V
DS
流-源 电压
−−
10 V
I
D
流 电流 (直流)
−−
30 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
102
°
c; 便条 1
−−
200 mW
y
fs
向前 转移 admittance I
D
= 12 毫安; f = 1 MHz 25 30 40 mS
C
ig1-s
输入 电容 在 门 1 I
D
= 12 毫安; f = 1 MHz
−
1.7 2.2 pF
C
rss
反转 转移 电容 f = 1 MHz
−
15
−
fF
NF 噪音 figure f = 800 MHz
−
1.1 1.8 dB
X
mod
交叉-调制 输入 水平的 为 k = 1% 在 40 db agc 100 105
−
dB
µ
V
T
j
运行 接合面 温度
−−
150
°
C
提醒
这个 产品 是 有提供的 在 反对-静态的 包装 至 阻止 损坏 造成 用 静电的 释放 在 运输
和 处理. 为 更远 信息, 谈及 至 飞利浦 规格.: snw-eq-608, snw-fq-302a 和 snw-fq-302b.
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