2001 Apr 25 4
飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 双 门 mos-场效应晶体管 BF1204
静态的 特性
T
j
=25
°
c; 每 mos-场效应晶体管; 除非 否则 specified.
便条
1. R
G1
connects 门 1 至 v
GG
=5v.
动态 特性
一般 源; t
amb
=25
°
c; v
g2-s
=4v; v
DS
=5v; i
D
= 12 毫安; 每 mos-场效应晶体管
(1)
; 除非 否则 specified.
注释
1. 为 这 mos-场效应晶体管 不 在 使用: v
g1-s
= 0; v
DS
=0.
2. 量过的 在 图.19 测试 电路.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 V
g1-s
=V
g2-s
= 0; i
D
=10
µ
A10
−
V
V
(br)g1-ss
门-源 损坏 电压 V
GS
=V
DS
= 0; i
g1-s
=10mA 6 10 V
V
(br)g2-ss
门-源 损坏 电压 V
GS
=V
DS
= 0; i
g2-s
=10mA 6 10 V
V
(f)s-g1
向前 源-门 电压 V
g2-s
=V
DS
= 0; i
s-g1
= 10 毫安 0.5 1.5 V
V
(f)s-g2
向前 源-门 电压 V
g1-s
=V
DS
= 0; i
s-g2
= 10 毫安 0.5 1.5 V
V
g1-s(th)
门-源 门槛 电压 V
DS
=5v; v
g2-s
=4v; i
D
= 100
µ
一个 0.3 1 V
V
g2-s(th)
门-源 门槛 电压 V
DS
=5v; v
g1-s
=4v; i
D
= 100
µ
一个 0.3 1.2 V
I
DSX
流-源 电流 V
g2-s
=4v; v
DS
=5v; r
G
= 120 k
Ω
; 便条 1 8 16 毫安
I
g1-s
门 截-止 电流 V
g1-s
=5v; v
g2-s
=V
DS
=0
−
50 nA
I
g2-s
门 截-止 电流 V
g2-s
=4v; v
g1-s
=V
DS
=0
−
20 nA
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
y
fs
向前 转移 admittance T
j
=25
°
C 253040mS
C
ig1-ss
输入 电容 在 门 1 f = 1 MHz
−
1.7 2.2 pF
C
ig2-ss
输入 电容 在 门 2 f = 1 MHz
−
3.3
−
pF
C
oss
输出 电容 f = 1 MHz
−
0.85
−
pF
C
rss
反转 转移 电容 f = 1 MHz
−
15
−
fF
G
tr
电源 增益 f = 200 mhz; g
S
= 2 ms; b
S
=B
s(opt)
;
G
L
= 0.5 ms; b
L
=B
l(opt)
; 便条 1
30 34 38 dB
f = 400 mhz; g
S
= 2 ms; b
S
=B
s(opt)
;
G
L
= 1 ms; b
L
=B
l(opt)
; 便条 1
26 30 34 dB
f = 800 mhz; G
S
= 3.3 ms; B
S
=B
s(opt)
;
G
L
= 1 ms; b
L
=B
l(opt)
; 便条 1
21 25 29 dB
NF 噪音 figure f = 10.7 mhz; g
S
= 20 ms; b
S
=0
−
911dB
f = 400 mhz; y
S
=Y
s(opt)
−
0.9 1.5 dB
f = 800 mhz; y
S
=Y
s(opt)
−
1.1 1.8 dB
X
mod
交叉-调制 输入 水平的 为 k = 1% 在 0 db agc;
f
w
= 50 mhz; f
unw
= 60 mhz; 便条 2
90
−−
dB
µ
V
输入 水平的 为 k = 1% 在 10 db agc;
f
w
= 50 mhz; f
unw
= 60 mhz; 便条 2
−
92
−
dB
µ
V
输入 水平的 为 k = 1% 在 40 db agc;
f
w
= 50 mhz; f
unw
= 60 mhz; 便条 2
100 105
−
dB
µ
V