2001 Apr 25 5
飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 双 门 mos-场效应晶体管 BF1204
所有 graphs 为 一个 mos-场效应晶体管
handbook, halfpage
02
20
0
4
8
12
16
0.4 0.8 1.2 1.6
V
g1-s
(v)
I
D
(毫安)
MCD952
V
g2-s
=
4 v
2.5 v
3.5 v
3 v
2 v
1.5 v
1 v
图.3 转移 特性; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
010
24
0
8
16
2
V
DS
(v)
I
D
(毫安)
648
MCD953
V
g1-s
=
1.5 v
1.4 v
1.2 v
1.3 v
1.1 v
1 v
0.9 v
图.4 输出 特性; 典型 值.
V
g2-s
=4v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0 2.5
100
0
20
40
60
80
0.5 1 1.5 2
V
g1-s
(v)
I
G1
(
µ
一个)
MCD954
V
g2-s
=
4 v
3.5 v
3 v
2.5 v
2 v
1.5 v
1 v
图.5 门 1 电流 作 一个 函数 的 门 1
电压; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
I
D
(毫安)
420
40
30
10
0
20
81216
MCD955
y
fs
(ms)
3.5 v
2.5 v
3 v
2 v
V
g2-s
=
4 v
图.6 向前 转移 admittance 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
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