2001 Apr 25 9
飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 双 门 mos-场效应晶体管 BF1204
scattering 参数
V
DS
=5v; v
g2-s
=4v; i
D
= 12 毫安; t
amb
=25
°
c.
f
(mhz)
s
11
s
21
s
12
s
22
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
50 0.991
−
3.29 2.95 175.78 0.00060 85.25 0.995
−
1.44
100 0.987
−
7.12 2.90 171.61 0.00119 84.74 0.994
−
2.90
200 0.981
−
14.21 2.86 163.45 0.00234 80.85 0.992
−
5.70
300 0.969
−
21.22 2.83 155.11 0.00339 75.77 0.989
−
8.50
400 0.958
−
28.14 2.79 147.37 0.00429 72.23 0.987
−
11.25
500 0.939
−
35.01 2.74 139.04 0.00508 68.24 0.983
−
13.96
600 0.921
−
41.75 2.68 131.35 0.00565 64.97 0.981
−
16.67
700 0.898
−
48.51 2.62 123.38 0.00611 61.90 0.976
−
19.36
800 0.874
−
54.96 2.55 115.74 0.00646 57.77 0.973
−
22.04
900 0.847
−
61.62 2.49 107.84 0.00662 55.04 0.969
−
24.80
1000 0.817
−
67.84 2.41 100.24 0.00670 52.16 0.966
−
27.45
handbook, 全部 pagewidth
DUT
C1
4.7 nf
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nf
L1
≈
2.2
µ
H
C3
4.7 nf
R
L
50
Ω
V
GG
V
AGC
V
DS
R
GEN
50
Ω
V
I
R2
50
Ω
4.7 nf
C2
R
G1
图.19 交叉-调制 测试 设置-向上 (为 一个 mos-fet).
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