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资料编号:169673
 
资料名称:BF998
 
文件大小: 155.83K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
 
 


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bf998/bf998r/bf998rw
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 4, 23-六月-99
4 (9)
文档 号码 85011
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0
50
100
150
200
250
300
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
96 12159
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
tot
图示 1. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0
5
10
15
20
25
30
0246810
V
DS
– 流 源 电压 ( v )
12812
i – 流 电流 ( 毫安 )
D
V
G1S
= 0.6v
0.4v
0
–0.4v
0.2v
V
G2S
=4V
–0.2v
图示 2. 流 电流 vs. 流 源 电压
0
4
8
12
16
20
–0.8 –0.4 0.0 0.4 0.8 1.2
V
G1S
– 门 1 源 电压 ( v )
12816
i – 流 电流 ( 毫安 )
D
6V
5V
4V
0
2V
1V
3V
V
DS
=8V
V
G2S
=–1V
图示 3. 流 电流 vs. 门 1 源 电压
0
4
8
12
16
20
–0.6 –0.2 0.2 0.6 1.0 1.4
V
G2S
– 门 2 源 电压 ( v )
12817
i – 流 电流 ( 毫安 )
D
0
2V
1V
3V
V
DS
=8V
5V
V
G1S
= –1V
4V
图示 4. 流 电流 vs. 门 2 源 电压
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–2 –1.5 –1.0 –0.5 0.0 0.5 1.0 1.5
V
G1S
– 门 1 源 电压 ( v )
12863
c – 门 1 输入 电容 ( pf )
issg1
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=1MHz
图示 5. 门 1 输入 电容 vs.
门 1 源 电压
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
24681012
V
DS
– 流 源 电压 ( v )
12864
c – 输出 电容 ( pf )
oss
V
G2S
=4V
f=1MHz
图示 6. 输出 电容 vs. 流 源 电压
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