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资料编号:169673
 
资料名称:BF998
 
文件大小: 155.83K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
 
 


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bf998/bf998r/bf998rw
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 4, 23-六月-99
5 (9)
文档 号码 85011
–50
–40
–30
–20
–10
0
10
–1 –0.5 0.0 0.5 1.0 1.5
V
G1S
– 门 1 源 电压 ( v )
12818
s – transducer 增益 ( db )
2
21
4V
0
2V
1V
3V
f= 800MHz
–0.2v
V
G2S
=–0.8v
–0.4v
图示 7. transducer 增益 vs. 门 1 源 电压
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0 4 8 1216202428
I
D
– 流 电流 ( 毫安 )
12819
V
DS
=8V
f=1MHz
V
G2S
=4V
2V
1V
0
3V
y – 向前 transadmittance ( ms )
21s
图示 8. 向前 transadmittance vs. 流 电流
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
02468101214
re (y
11
) ( ms )
12820
im ( y ) ( ms )
11
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300mhz
f=1300MHz
700MHz
400MHz
1000MHz
100MHz
图示 9. 短的 电路 输入 admittance
–40
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
0
5
0 4 8 12 16 20 24 28 32
re (y
21
) ( ms )
12821
im ( y ) ( ms )
21
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=100...1300mhz
f=100MHz
1300MHz
1000MHz
400MHz
700MHz
I
D
=5mA
10mA
20mA
图示 10. 短的 电路 向前 转移 admittance
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50
re (y
22
) ( ms )
12822
im ( y ) ( ms )
22
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300mhz
f=1300MHz
1000MHz
400MHz
100MHz
700MHz
图示 11. 短的 电路 输出 admittance
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